[发明专利]带有位线、字线和板线的集成存储器及其工作方法无效
申请号: | 00107082.7 | 申请日: | 2000-04-28 |
公开(公告)号: | CN1271942A | 公开(公告)日: | 2000-11-01 |
发明(设计)人: | H·赫尼格施米德;G·布劳恩 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00;G11C7/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,张志醒 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 集成 存储器 及其 工作 方法 | ||
1.一种集成存储器,
-它带有存储单元(MC),该存储单元(MC)均至少带有一个选择晶体管(T)和一个存储电容器(C),
-它带有位线(BLi)、字线(WLk)及板线(PLi),在这些线的交叉点上排列有存储单元(MC),
-其中,在每个存储单元(MC)中,存储电容器(C)的一个电极通过选择晶体管(T)与一根位线(BLi)相连,另一个电极则接在板线(PLi)上,晶体管(T)的控制端接在一根字线(WLk)上,
-它具有第一种工作方式,
-在该方式下,板线(PLi)带有一个恒定的板电位(VPL),
-在该方式下,如果不对一个存储单元(MC)进行访问,位线(BLi)同样也为板电位(VPL),
-且在该方式下,在访问一个存储单元(MC)时,与该存储单元(MC)相连的位线(BLi)若接到一个比板电位(VPL)低的第一电位(GND),则写入第一种逻辑状态,若接到一个比板电位高的第二电位(VDD),则写入第二种逻辑状态,
-它还具有第二种工作方式,
-在该方式下,位线(BLi)为板电位(VPL),
-且在该方式下进行写访问时,至少有一根板线(PLi)接到一个与板电位(VPL)不相同的确定电位(VF)。
2.根据权利要求1的集成存储器,其特征在于,在第二种工作方式下进行写访问时,多根板线(PLi)同时接到确定电位(VF)。
3.根据权利要求1或2的集成存储器,其特征在于,确定电位(VF)为第一电位(GND)或第二电位(VDD)。
4.根据权利要求1或2的集成存储器,其特征在于,确定电位(VF)位于板电位(VPL)与第一电位(GND)或第二电位(VDD)之间。
5.根据上述权利要求之一的集成存储器,其特征在于,它带有一种连接面(A),用来从存储器外部导入确定电位(VF)。
6.根据权利要求1的集成存储器,其特征在于,
-它带有字线解码器(RDEC),根据其输出的字地址(RADR)来对字线(WLk)进行寻址,
-它带有字线驱动器(D),用来将字线解码器(RDEC)的输出口分别同一根字线(WLk)连接起来,
-它带有电压发生器(2),以在第一种工作方式下给字线驱动器(D)生成一个第一供电电压(VPP),
-它还带有连接面(E),以在第二种工作方式下给字线驱动器(D)导入一个第二供电电压(Vext)。
7.根据权利要求1的集成存储器,其特征在于
-其字线(WLk)与位线(BLi)同与之相连的存储单元(MC)一起至少形成一个单元区,
-其中,在第一种工作方式下进行写访问时,每个单元区同时只有一根字线(WLk)被激活,
-而且其中,在第二种工作方式下进行写访问时,每个单元区有多根字线(WLk)同时被激活。
8.用于集成存储器的工作方法,其集成存储器
-带有存储单元(MC),该存储单元(MC)均至少带有一个选择晶体管(T)和一个存储电容器(C),
-带有位线(BLi)、字线(WLk)及板线(PLi),在这些线的交叉点上排列有存储单元(MC),
-其中,在每个存储单元(MC)中,存储电容器(C)的一个电极通过选择晶体管(T)与一根位线(BLi)相连,另一个电极则接在板线(PLi)上,晶体管(T)的控制端接在一根字线(WLk)上,
其方法具有如下步骤:
-存储器工作在第一种工作方式,
-在该方式下,板线(PLi)被输入一个恒定的板电位(VPL),
-在该方式下,如果一个存储单元(MC)没被访问,位线(BLi)同样也被输入板电位(VPL),
-且在该方式下,在访问一个存储单元(MC)时,与该存储单元(MC)相连的位线(BLi)被置为一个比板电位(VPL)低的第一电位(GND),以写入第一种逻辑状态,并且被置为一个比板电位高的第二电位(VDD),以写入第二种逻辑状态,
-存储器工作在第二种工作方式,
-在该方式下,位线(BLi)被输入板电位(VPL),
-且在该方式下进行写访问时,有一根板线(PLi)被置为一个与板电位(VPL)不相同的确定电位(VF)。
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