[发明专利]光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供一基体，该基体包括一二极管感光区；

在该基体上形成一介电层与一导体层；

构成该导体层与该介电层，以使留下的导体层形成一晶体管的一栅极导体层以及多个虚拟栅极位于该二极管感光区，并且使留下的介电层形成该晶体管的一栅极介电层以及多个虚拟栅极介电层位于该各虚拟栅极之下；

以该隔离区、该栅极导体层与该各虚拟栅极为掩模，进行一第一离子植入步骤与一热驱入制作工艺，以在栅极导体层两侧的基体中形成一源极/漏极的一轻掺杂区，并在未被该各虚拟栅极覆盖的二极管感光区中形成多个掺杂区；

在该栅极导体层的侧壁形成一第一间隙壁，并在该各虚拟栅极的侧壁形成多个第二间隙壁，该各相邻的第二间隙壁相互连接，并且覆盖该各掺杂区；

以该隔离区、该栅极导体层、该各虚拟栅极以及该第一间隙壁与各第二间隙壁为掩模，进行一第二离子植入步骤与一热驱入制作工艺，以在该第一间隙壁两侧的基体中形成该源极/漏极的一重掺杂区；以及

进行一自动对准金属硅化物制作工艺，以在该栅极导体层、该各虚拟栅极与该源极/漏极上形成一金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该各虚拟栅极为长条状。

3.如权利要求2所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该各虚拟栅极为彼此相互连接的长条状。

4.如权利要求1所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该各虚拟栅极呈矩形。

5.如权利要求1所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该第一间隙壁与该各第二间隙壁的材料包括氧化硅。

6.一种主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：

提供一基体，该基体包括一二极管感光区；

在该基体上形成一介电层与一导体层；

构成该导体层与该介电层，以使留下的导体层形成一晶体管的一栅极导体层以及多个彼此相连的虚拟栅极位于该二极管感光区，并且使留下的介电层形成该晶体管的一栅极介电层以及多个虚拟栅极介电层位于该各虚拟栅极之下；

以该隔离区、该栅极导体层与该各虚拟栅极为掩模，进行一第一离子植入步骤与一热驱入制作工艺，以在栅极导体层两侧的基体中形成一源极/漏极的一轻掺杂区，并在未被该各虚拟栅极覆盖的二极管感光区中形成多个掺杂区；

在该栅极导体层的侧壁形成一第一间隙壁，并在该各虚拟栅极的侧壁形成多个第二间隙壁，该各相邻的第二间隙壁相互连接，并且覆盖该各掺杂区；

以该隔离区、该栅极导体层、该各虚拟栅极以及该第一间隙壁与该各第二间隙壁为掩模，进行一第二离子植入步骤与一热驱入制作工艺，以在该第一间隙壁两侧的基体中形成该源极/漏极的一重掺杂区；以及

进行一自动对准金属硅化物制作工艺，以在该栅极导体层、该各虚拟栅极与该源极/漏极上形成一金属硅化物层；

在该虚拟栅极上形成一接触窗，以电连接该虚拟栅极，使一电压可以施加至该虚拟栅极，从而在该虚拟栅极下方形成一反转层。

7.如权利要求6所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该各虚拟栅极呈彼此相互连接的长条状。

8.如权利要求6所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该第一间隙壁与该各第二间隙壁的材料包括氧化硅。

9.如权利要求6所述的主动式光二极管互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其中该接触窗的制造方法包括：

在该基体中形成一介电层；

在该介电层中形成一接触窗开口，裸露出该虚拟栅极上的金属硅化物层；以及

在该接触窗开口中形成一导体层。