[发明专利]记录介质和信息存储设备

说明书

本发明一般涉及记录介质和信息存储设备，并且更具体地说，涉及把ID分配到每片数据和存储信息的一种记录介质和一种信息存储设备。

在最近几年，对于较大容量信息存储设备的需求一直在增大，因为在信息处理场中的信息量一直在迅速增大。在一种用在信息存储设备的记录介质中，如在磁光盘中，根据ID记录信息。由于这种基于ID的记录方法，更高记录密度的更大记录容量要求更多的ID，导致格式化效率低。

在磁光盘中，由凹坑形成包括ID的首部。通过注模法使用一块基板生产盘基片。在基板上，通过光处理技术已经形成凹坑。在盘基片上，形成一个记录层和一个保护层，以生产磁光盘。因而，通过激光束的波长确定凹坑的尺寸。

在磁光盘中，标记尺寸由MSR(磁感应超分辨率)技术减小到其中预格式化凹坑尺寸比记录标记尺寸大两倍或三倍的点。结果，凹坑的存在阻碍记录密度的提高。

图1表示常规磁光盘的示范格式。

先有技术的磁光盘1以恒定旋转速度转动。在磁光盘1的内周缘侧上光束与磁光盘1之间的相对速度不同于在磁光盘1的外周缘侧上的。因此，把磁光盘1划分成四个区域Z1至Z4。最内区域Z1在四个区域Z1至Z4中具有最低的记录频率，而最远区域Z4具有最高的记录频率。记录频率的这种设置叫作ZCAV(区域恒定角速度)法，这种方法用来提高记录容量。

在磁光盘1内，在具有预定长度的每个扇区内形成首部区域2。按照预先用凹坑记录在相应首部区域2上的地址信息(ID)，把光束定位到目标扇区上。其中存储信息的数据区域形成在每两个首部区域2之间。

图2表示常规磁光盘示范数据轨道的数据结构。

数据轨道由多个数据扇区4组成。数据扇区4的每一个包括首部5和数据字段6。用来标识每个数据字段6的地址存储在每个相应首部5中，并且把信息存储在每个数据字段6中。

一个缓冲区7布置在每两个数据扇区4之间。一个间隙8形成在首部5与数据字段6之间。在区Z1至Z4的每一个中，两条相邻轨道的首部5彼此相邻。在相同区中的两条轨道的数据字段6也彼此相邻。

图3表示常规磁光盘的示范首部的数据结构。

首部5的每一个包括一个扇区标记9、一个第一VFO(变频振荡器)同步区域10、一个地址标记11、一个第一轨道地址12、一个第一扇区地址13、一个第一错误校正码14、一个第二VFO同步区域15、一个地址标记16、一个第二轨道地址17、一个第二扇区地址18、一个第二错误校正码19、及一个后同步20。

扇区标记9代表数据扇区4的开始。第一VFO同步区域10启动用来读第一轨道地址12和第一扇区地址13的VFO同步。第一地址标记11代表第一轨道地址12和第一扇区地址13的开始。第一轨道地址12代表扫描数据的轨道地址。第一扇区地址13代表扫描数据的扇区地址。第一错误校正码14用来校正第一轨道地址12和第二扇区地址13中的错误。

第二VFO同步区域15启动用来读第二轨道地址17和第二扇区地址18的VFO同步。第二地址标记16代表轨道地址17和第二扇区地址18的开始。第二轨道地址17代表扫描数据的轨道地址。第二扇区地址18代表扫描数据的扇区地址。第二错误校正码19用来校正第二轨道地址17和第二扇区地址18中的错误。后同步20代表首部5的端部。

由第一轨道地址12和第一扇区地址13的组合、或第二轨道地址17和第二扇区地址18的组合确定光束的位置。

图4表示常规磁光盘的示范数据字段的数据结构。

数据字段6包括包括一个第三VFO同步字段21、一个同步信号字段22、一个数据存储字段23、一个错误校正码字段24、及一个后同步字段25。

第三VFO同步区域21启动用来记录和复制数据的VFO同步。同步信号字段22与数据字段6同步，并且启动用来复制数据的同步。错误校正码字段24用来检测和校正存储在数据存储字段23中的数据中的错误。添加后同步字段25以复制数据末端。

如以上解释的那样，常规磁光盘1在每个数据扇区4中带有一个首部5，以确定光束的位置。

然而，虽然由MSR技术形成小尺寸的标记，但由比标记大两倍或三倍的凹坑形成首部，因为不用MSR技术读出凹坑。凹坑尺寸限于与激光束的波长相对应的尺寸。如果通过MSR技术使数据密度增至两倍或三倍，则由首部占据了记录区域的大部分。从整体来说，由于大尺寸的凹坑不能提高记录密度。而且，为常规磁光盘中的每个扇区提供一个首部，所以不能提高格式化效率。而且，在纹间表面／凹坑轨道中引起的交错减小格式化效率。