[发明专利]替换动态随机存取存储器中不工作金属线的方法和装置

权利要求书

1．一种半导体器件，它包含：

半导体集成电路中的电路块；

电耦合到所述电路块的导线；

用来电耦合到所述电路块的其它导线；

用来确定所述导线是可工作还是不能工作的第一装置；

用来使所述导线与所述电路块电去耦的第一开关；以及

用来将所述其它导线耦合到所述电路块的第二开关。

2．权利要求1的半导体器件，其中所述第一开关和所述第二开关各响应于所述第一装置。

3．权利要求1的半导体器件，其中所述电路块包含：

电路元件；

电耦合到所述电路元件的电路导线；

用来电耦合到所述电路元件的其它电路导线；

用来确定所述电路导线是可工作还是不能工作的第二装置；

用来使所述电路导线与所述电路元件电去耦的第三开关；以及

用来将所述其它电路导线耦合到所述电路元件的第四开关。

4．权利要求3的半导体器件，其中所述第三开关和所述第四开关各响应于所述第二装置。

5．权利要求1的半导体器件，其中所述电路块包含：

多个电路元件；

各电耦合到所述多个电路元件的相应电路元件的多个第一电路导线；

用来电耦合到所述多个电路元件的任何一个电路元件的其它电路导线；

用来确定各个第一电路导线是可工作还是不能工作的第二装置；

用来使相应的第一电路导线和与其相应的电路元件电去耦的多个第三开关；以及

用来将所述其它电路导线耦合到所述多个电路元件的任何一个电路元件的第四开关。

6．权利要求1的半导体器件，其中所述导线和所述其它导线，各由所述半导体集成电路制造过程中原先制作的同一金属膜制成。

7．权利要求1的半导体器件，其中所述第一开关包括激光束。

8．权利要求1的半导体器件，其中所述第一开关和所述第二开关各包括电学元件。

9．权利要求1的半导体器件，其中所述第一开关和所述第二开关各包括制作在所述半导体集成电路中的晶体管。

10．权利要求1的半导体器件，其中所述第一开关包括至少一个去耦晶体管。

11．权利要求10的半导体器件，其中所述第一开关还包括熔丝。

12．权利要求10的半导体器件，还包含耦合到所述导线和所述其它导线的电路元件。

13．权利要求12的半导体器件，其中所述电路元件包含脱片驱动器。

14．权利要求12的半导体器件，其中所述至少一个去耦晶体管中的至少一个位于所述电路元件紧邻，以便使所述导线去耦。

15．权利要求1的半导体器件，其中所述第二开关包括至少一个去耦晶体管。

16．权利要求15的半导体器件，其中所述第二开关还包括熔丝。

17．权利要求1的半导体器件，还包含含有所述第一开关和所述第二开关的锁存器。

18．权利要求1的半导体器件，其中所述第一装置包括用来执行测试以确定施加到一段所述导线的电压是否在另一段所述导线处被读出的电测试器件以及用来送出所述确定结果的输出装置。

19．权利要求3的半导体器件，其中所述导线和所述其它导线各包含主数据线，所述电路导线和所述其它电路导线各包含本地数据线，而所述半导体集成电路包含DRAM器件。

20．权利要求1的半导体器件，其中所述导线和所述其它导线各包含位线。

21．权利要求1的半导体器件，其中所述半导体集成电路是DRAM器件，且各个所述导线和所述其它导线包含列选择线。

22．权利要求3的半导体器件，其中所述半导体集成电路是DRAM，各个所述导线和所述其它导线包含全局列选择线，而各个所述电路导线和所述其它电路导线包含列选择线。