[发明专利]电子发射器件的制造方法无效
| 申请号： | 00108379.1 | 申请日： | 1994-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1280376A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | 大西敏一;山野边正人;野村一郎;鲈英俊;坂野嘉和;小野武夫;三留正则 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 发射 器件 制造 方法 | ||
1．一种电子发射器件的制造方法，该电子发射器件包括一对相对设置的电极和设在电极之间的一个导电膜，其特征是该方法包括对器件的激活处理。
2．按照权利要求1的电子发射器件的制造方法，其特征是上述激活处理是指在上导电膜上沉积以碳为主要成分的一个淀积层的过程。
3．按照权利要求2的电子发射器件制造方法，其特征是上述激活处理中包括在真空中向设在电极之间的导电膜施加电压的步骤。
4．按照权利要求3的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压是以脉冲的方式施加的。
5．按照权利要求4的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压高于电压控制负电阻电平。
6．按照权利要求5的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压是用于驱动电子发射器件的驱动电压。
7．按照权利要求2的电子发射器件制造方法，其特征是上述激活处理包括在包含一种导入的碳化合物的环境中向设在电极之间的导电膜施加电压的步骤。
8．按照权利要求7的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压是以脉冲的方式施加的。
9．按照权利要求8的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压高于电压控制负电阻电平。
10．按照权利要求9的电子发射器件制造方法，其特征是上述电压是用于驱动电子发射器件的驱动电压。
11．按照权利要求7的电子发射器件制造方法，其特征是上述碳化合物是一种有机气体。
12．按照权利要求11的电子发射器件制造方法，其特征是上述有机气体在激活处理的温度和环境下具有不高于5000Pa的蒸汽压力。
13．按照权利要求12的电子发射器件制造方法，其特征是上述有机气体在20℃时具有不高于5000Pa的蒸汽压力。
14．按照权利要求11的电子发射器件制造方法，其特征是上述有机气体在激活处理的温度和环境下具有的蒸汽压力在0．2Pa至5000Pa之间。
15．按照权利要求14的电子发射器件制造方法，其特征是上述有机气体在20℃时的蒸汽压力处于0．2Pa至5000Pa之间。
16．按照权利要求1的电子发射器件制造方法，其特征是进一步包括一种成形处理。
17．按照权利要求16的电子发射器件制造方法，其特征是上述成形处理是在位于电极之间的导电膜中形成一高电阻区的步骤。
18．按照权利要求1的电子发射器件制造方法，其特征是上述激活处理是在上述成形处理之后执行的。
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