[发明专利]金属镶嵌布线形貌的修正

权利要求书

1.一种平面化具有不规则形貌的表面的方法，包括

用抛光终止层覆盖所述表面；

在所述抛光终止层上淀积填充层，所述填充层的厚度大于所述不规则形貌的深度；以及

选择性抛光所述填充层直到所述终止层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述表面包括用层间介质覆盖的镶嵌布线层，所述抛光终止层和所述填充层设置在所述布线层和所述层间介质之间。

3.根据权利要求1的方法，其中所述填充层填充在所述不规则的形貌中。

4.根据权利要求1的方法，其中所述抛光终止层包括所述不规则的形貌，所述抛光之后，所述填充层仅留在所述形貌的不规则处。

5.根据权利要求1的方法，其中在所述抛光之前，所述填充层的厚度大于所述抛光终止层的厚度。

6.根据权利要求1的方法，其中所述抛光包括选择性的化学机械抛光。

7.根据权利要求1的方法，其中所述不规则的形貌包括由所述表面的化学机械抛光产生的至少一个划痕或凹坑。

8.根据权利要求1的方法，其中所述终止层包括氮化硅，所述填充层包括氧化物。

9.一种集成电路芯片的制造方法，包括：

形成布线层；

平面化所述布线层；

在所述布线层上形成层间介质；以及

重复所述布线层的所述形成，所述布线层的所述平面化，以及所述层间介质的所述形成，

其中所述平面化包括所述布线层的第一次抛光，所述第一次抛光在所述布线层中形成不规则的形貌，

所述平面化还包括：

用抛光终止层覆盖所述布线层；

在所述抛光终止层上淀积填充层，所述填充层的厚度大于所述不规则的形貌的深度；以及

选择性抛光所述填充层直到所述终止层。

10.根据权利要求9的方法，其中所述抛光终止层和所述填充层设置在所述半导体芯片中的每个布线层和层间介质之间。

11.根据权利要求9的方法，其中所述填充层填充在所述不规则的形貌中。

12.根据权利要求9的方法，其中所述抛光终止层包括所述不规则的形貌，所述抛光之后所述填充层仅留在所述不规则的形貌中。

13.根据权利要求9的方法，其中所述抛光之前所述填充层的厚度大于所述抛光终止层。

14.根据权利要求9的方法，其中所述抛光包括选择性的化学机械抛光。

15.根据权利要求9的方法，其中所述不规则的形貌包括至少一个划痕或凹坑。

16.根据权利要求9的方法，其中所述终止层包括氮化硅，所述填充层包括氧化物。

17.根据权利要求9的方法，其中所述布线层包括镶嵌布线层。

18.一种集成电路芯片，包括：

至少一个具有不规则形貌的布线层；

位于所述布线层上的抛光终止层，所述抛光终止层包括所述不规则形貌

所述不规则形貌中的填充层；以及

所述抛光终止层和所述填充层上的层间介质。

19.根据权利要求18的集成电路芯片，其中所述填充层基本上消除了所述不规则的形貌。

20.根据权利要求18的集成电路芯片，其中所述不规则的形貌包括由所述布线层的化学机械抛光产生的至少一个划痕或凹坑。

21.根据权利要求18的集成电路芯片，其中所述终止层包括氮化硅，所述填充层包括氧化物。