[发明专利]用于半导体存储器的芯片内可编程数据模式发生器无效

专利信息
申请号: 00108863.7 申请日: 2000-05-17
公开(公告)号: CN1284724A 公开(公告)日: 2001-02-21
发明(设计)人: G·弗兰科夫斯基 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术北美公司
主分类号: G11C11/00 分类号: G11C11/00;G11C29/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 存储器 芯片 可编程 数据 模式 发生器
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器芯片,包括:

一个被测试的第一存储器矩阵,它包括多个按行和列方式排列的存储器单元,所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取,在输入/输出引脚提供所述数据;和

一个模式发生器,它形成在所述存储器芯片之内,所述模式发生器还包括:

一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵,所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元,所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入/输出引脚的模式的数据;和

用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置,以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述用于寻址的装置包括在所述半导体芯片之内。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述用于寻址的装置由一个外部测试装置提供。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述模式发生器包括一个模式地址输入,以选择一个存储于所述可编程存储器矩阵中的模式。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述可编程存储器矩阵包括其中存储有模式数据的只读存储器。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述存储器芯片是一个动态随机存取存储器芯片。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述寻址装置包括字线和传感放大器,以激活所述可编成存储器矩阵的所述存储器单元。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述多个数据模式中的每一个存储于若干个存储器体中。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述被产生的模式是一个物理模式、一个逻辑模式和一个检查模式的其中之一。

10.一种半导体存储器芯片,包括:

一个被测试的第一存储器矩阵,它包括多个按行和列方式排列的存储器单元,所述存储器单元可以通过利用位线和字线向其进行读和写数据而被存取,在输入/输出引脚提供所述数据;和

一个模式发生器,它形成在所述存储器芯片之内,所述模式发生器还包括:

一个具有多个存储器体的可编程存储器矩阵,所述存储器体具有多个按行和列方式排列的存储器单元,所述存储器体可以存储按照被产生来用于所述第一存储器矩阵的各输入/输出引脚的模式的数据;

用于对存储在所述可编程存储器矩阵中的数据进行寻址的装置,以便按地址寻找到要传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据;

一个模式解码器,用于根据一个输入信号从多个模式中选出一个模式并存储于所述存储器体中;

所述模式发生器的输出被耦合至所述第一存储器矩阵的输入/输出引脚以提供更传输至或来自所述第一存储器矩阵的单个数据。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述用于寻址的装置包括在所述半导体芯片之内。

12.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述用于寻址的装置由一个外部测试装置提供。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述输入信号由所述存储器芯片之外的一个外部源提供。

14.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述可编程存储器矩阵包括其中存储有模式数据的只读存储器。

15.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述存储器芯片是一个动态随机存取存储器芯片。

16.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述多个数据模式中的每一个存储于若干个存储器体中。

17.根据权利要求10所述的半导体存储器芯片,其特征在于,所述被产生的模式是一个物理模式、一个逻辑模式和一个检查模式的其中之一。

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