[发明专利]屏蔽薄膜及其制造方法、使用该薄膜的电路基片制造方法无效
申请号: | 00108926.9 | 申请日: | 2000-05-17 |
公开(公告)号: | CN1274257A | 公开(公告)日: | 2000-11-22 |
发明(设计)人: | 竹中敏昭;近藤俊和;岸本邦雄;中村真治;越后文雄 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42;H05K3/46 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 薄膜 及其 制造 方法 使用 路基 | ||
1.一种用于制造电路基片的屏蔽薄膜,它包括基体部件(1)和
设置在该基体部件(1)上的脱模层(2)以及非脱模部(3、4、5、6)。
2.根据权利要求1所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层设置在上述基体部件的表面上,
上述非脱模部设在上述基体部件的表面上,
上述非脱模部设在除了上述脱模层之外的区域内。
3.根据权利要求1所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层设置在上述基体部件的表面上,
上述非脱模部具有设置在上述脱模层上的规定位置上的粘接层(4、5、6)。
4.根据权利要求1、2或权利要求3所述的屏蔽薄膜,其中,
上述非脱模部,在沿着上述基体部件的长度方向之两端部、平行地形成于上述两端上。
5.根据权利要求1所述的屏蔽薄膜,其中
上述脱模层设在除了上述基体部件两端以外的区域内。
6.根据权利要求2所述的屏蔽薄膜,其中
上述非脱模部具有粘接层(4、5、6)。
7.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中
上述粘接层具有调整粘接强度用的粘接强度调整图形(5)。
8.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中,
上述粘接层具有防止空气进入的防止空气进入图形(6)。
9.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中,
上述粘接层,在沿着上述基体部件长度方向的两端部、平行地形成于上述两端上,
上述粘接层具有规定宽度。
10.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中,
上述粘接层具有调整粘接强度用的粘接强度调整图形(5)。
11.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中
上述粘接层具有防止空气进入上述脱模层用的防止空气进入图形。
12.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中
上述粘接层具有调整粘接强度用的粘接强度调整图形(5),
上述粘接强度调整图形具有平行于上述基体部件的长度方向设置的多条线状图形。
13.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中,
上述粘接层具有调整粘接强度用的粘接强度调整图形(5),
上述粘接强度调整图形具有平行于上述基体部件的长度方向、而且在离开上述基体部件端部一定距离的内侧上形成的防止空气进入的图形;以及垂直于上述基体部件的长度方向形成的不连续图形。
14.根据权利要求3或权利要求6所述的屏蔽薄膜,其中
上述粘接层含有热可塑性树脂,
上述热可塑性树脂在常温下没有粘接性,在加热中具有粘接性。
15.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层具有40mN/m以上的表面张力。
16.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层具有经过电晕放电处理及等离子体放电处理中的至少一种处理的表面。
17.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层具有在约35KV的电压、约1秒~约5秒种的条件下处理过的处理表面。
18.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层是用没有熔点的材料制成的。
19.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述脱模层具有热硬化树脂。
20.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的屏蔽薄膜,其中,
上述基体部件包括没有熔点的材料。
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