[发明专利]特超声清洗半导体晶片中的去离子水温控去气

权利要求书

1.一种制备去离子水的方法，在选定的清洗高温和随之选定的压力下，去离子水中溶有基本上100％饱和浓度的无反应清洗增强气体，用于清洗半导体晶片，这个方法包括以下步骤：

调节去离子水中溶解的无反应清洗增强气体的浓度，去离子水在预定的初始低温下溶有预定初始浓度的所说气体，以提供在所说的初始低温下去离子水中溶有调节过的欠饱和浓度的所说气体，其对应于在所说的清洗温度和压力下基本实质上溶有100％饱和浓度的所说气体；和

充分加热所得的调节了气体浓度的去离子水来调节其温度，以形成去离子水热浴，在所说的清洗温度和压力下，水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体，用以清洗半导体晶片。

2.权利要求1的方法，其中所说的清洗温度为50-85℃，初始的低温为15-30℃，清洗压力为大气压。

3.权利要求1的方法，其中还包括向所说的热浴添加化学清洗剂。

4.权利要求1的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂。

5.权利要求1的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂，去离子水与过氧化氢和氢氧化铵的体积比为10∶1∶1至1,000∶2∶1。

6.权利要求1的方法，其中还包括使所说的晶片与所说的热浴接触来清洗半导体晶片。

7.权利要求1的方法，还包括将所说的晶片浸在所说的热浴中并向所说热浴施加特超声(megesonic)振动来清洗半导体晶片。

8.一种制备去离子水的方法，在选定的约50.85℃的清洗高温，和随之选定的清洗压力下，去离子水中溶有基本上100％饱和浓度的无反应清洗增强气体，用于清洗半导体晶片，该方法包括以下步骤：

调节去离子水中溶解的无反应清洗增强气体的浓度，去离子水在预定的约15-30℃的初始低温下溶有预定初始浓度的所说气体，以提供在所说的初始低温下去离子水中溶有调节过的欠饱和浓度的所说气体，这对应于在所说的清洗温度和压力下水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体；

充分加热所得的调节了气体浓度的去离子水来调节其温度，以形成去离子水热浴，在所说的清洗温度和清洗压力下，水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体；和

将所说的晶片浸在所说的热浴中，并对所说的热浴施加特超声(megasonic)振动来清洗所说的晶片。

9.权利要求8的方法，其中还包括向所说的热浴添加化学清洗剂。

10.权利要求8的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂。

11.权利要求8的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂，去离子水与过氧化氢和氢氧化铵的体积比为10∶1∶1至1,000∶2∶1。

12.一种制备去离子水的方法，在选定的升高的清洗温度和随之选定的压力下，去离子水中溶有基本上100％饱和浓度的无反应清洗增强气体，用于清洗半导体晶片，这个方法包括以下步骤：

对去离子水进行去气，去离子水在预定的初始低温下溶有预定初始浓度的无反应清洗增强气体，以提供在所说的初始低温下去离子水中溶有调节过的欠饱和浓度的所说气体，这对应于在所说的清洗温度和清洗压力下水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体；和

充分加热所得的调节了气体浓度的去离子水以形成去离子水热浴，在所说的清洗温度和清洗压力下，水中基本上溶有100％饱和浓度的所说气体，用以清洗半导体晶片。

13.权利要求12的方法，其中所说的清洗温度为50-85℃，所说的初始低温为15-30℃，所说的清洗压力为大气压。

14.权利要求12的方法，其中还包括向所说的热浴添加化学清洗剂。

15.权利要求12的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂。

16.权利要求12的方法，其中还包括向所说的热浴添加由过氧化氢和氢氧化铵组成的化学清洗剂，去离子水与过氧化氢和氢氧化铵的体积比为10∶1∶1至1,000∶2∶1。