[发明专利]大电流比例的电流输出电路

说明书

本发明涉及一种电路，特别是一种大电流比例的电流输出电路，其为一种电流镜电路，其特点是在占用面积小，具有不受电源影响，并可输出恒定大电流的能力。

随着电子技术的进步，使现今人们生活不断提高，如今在与人类生活息息相关的各种电子产品，其内部的主要元件为集成电路。不论是数字信号逻辑单元或是通讯系统中所需要的信号接收及发射器，皆可由集成电路来完成，而集成电路的制造需利用半导体工艺技术作基础。由于集成电路内部的电路布局十分的复杂，所以半导体工艺也是一项十分精密技术，对现有工艺技术作改善也甚为困难。

在传统技术中，能输出恒定大电流的集成电路是使用一种称为电流镜的电路来实现，请参阅图1，图1为现有技术中使用的一种电流镜电路的示意图，其中包括有两个N通道MOS晶体管T₁、T₂，其中一个N通道MOS晶体管T1的漏极D连接有一个应用电路，该应用电路为任何需要一个大的恒定电流源的电路，此应用电路受电流镜影响输出固定电流I_D，且此N通道MOS晶体管的闸极G与另一个N通道MOS晶体管T₂的闸极G与漏极D连接，而这两个N通道MOS晶体管T₁、T₂的源极S皆接地。

请再参阅图2，图2为现有技术中使用的另一种电流镜电路的示意图，该技术公开于1996年4月30日获准的美国专利，专利号为5,512,855“工作在饱和区的恒流电路(Constant-current Circuit Operationin Saturation Region)”，该电路中包括有四个MOS晶体管M₂₁、M₂₂、M₂₃、M₂₄，其中两个MOS晶体管M₂₃、M₂₄在源极S处与一个电压源V_DD并联连接，且MOS晶体管M₂₄的闸极G与漏极D连接；此两个MOS晶体管M₂₃、M₂₄为N通道的MOS晶体管，且MOS晶体管M₂₄的闸极G与另一个MOS晶体管M₂₃的闸极G连接；此两个N通道MOS晶体管M₂₃、M₂₄的漏极D并与另两个P通道MOS晶体管M₂₁、M₂₂的漏极D连接，其中P通道MOS晶体管M₂₁的漏极D更经由一个电阻R₂₁与N通道MOS晶体管M₂₃的漏极D及自己的闸极G连接；此两个P通道MOS晶体管M₂₁、M₂₂的源极S接地。