[发明专利]纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法

权利要求书

1.一种用纯碳粉水基分散一步烧结法制造反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法，其特征在于：以工业碳素材料、石墨纯碳粉为原料，经1000～1200隔氧焙烧，保1～4小时，将焙烧焦粗碎至1～2mm，加水分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂经球磨，稀释后，水力旋流器分级，得d₉₀＝45μm，d₁₀＝5μm的碳粉泥浆；将该泥浆采用湿法成型法制成生坯；将生坯自然阴干和110℃烘干后，置于感应炉中的石墨坩埚内，按碳∶硅＝1∶2.5比例加入粒径为5～15mm的硅粉，将生坯掩埋，在真空下以150～200℃/h的速度升温至1550～1650℃，保温1-2h止火或1800～2050℃氩气保护常压下气相渗硅，而制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。

2.如权利要求所述的纯碳粉水基分散一步烧结法制备反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法，其特征在于所述的生(素)坯的碳骨架结构——单位体积碳的含量、碳的粒径及粒径分布和生(素)坯的孔径分布，用控制碳粉、烧蚀剂、填充剂的掺入量及其粒径和粒径分布的方法加以调整。

3.如权利要求2所述的纯碳粉水基分散一步烧结法制备反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法，其特征在于所述的烧蚀剂可采用有机物如木粉、核桃壳粉、塑料粉和无机物如石英粉、白碳黑粉。

4.如权利要求1所述的高性能RBSC的制造方法，其特征在于所述的填充剂采用d₉₀＝7μm的金属硅粉加以调整。

5.如权利要求1所述的高性能RBSC的制造方法，其特征在于：将粒径1-2mm的粗碳粉用流化床气流磨加工至d₉₀＝45μm，d₁₀＝5μm，然后加入水、分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂，经高述搅拌制得碳粉泥浆。