[发明专利]非还原介质陶瓷和单片陶瓷电容器

权利要求书

1.一种非还原介质陶瓷，具有由化学式ABO₃表示的钙钛矿结构，具有含有钛酸钡为主要成份的主要结晶相，其中，在-25摄氏度或更高温度下，通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系：1.000≤c/a≤1.003。

2.如权利要求1所述的非还原介质陶瓷，其特征在于对于在2V rms/mm或更小的AC电场，在1KHz频率测量的相对介电常数的温度依赖性，主要结晶相的相转变温度小于-25摄氏度。

3.如权利要求1或2所述的非还原介质陶瓷，其特征在于非还原介质陶瓷包含从La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Y，和Sc构成的组中选出的至少一种稀土元素。

4.一种单片陶瓷电容器，其特征在于包含：

多个介质陶瓷层；

形成在所述介质陶瓷层之间的内部电极；和

电气连接到内部电极的外部电极，

其中，所述介质陶瓷层包含如权利要求1到3中任一条所述的非还原介质陶瓷。

5.如权利要求4所述的单片陶瓷电容器，其特征在于内部电极包含从由镍、镍合金、铜、铜合金构成的组中选出的材料。

6.如权利要求4或5所述的单片陶瓷电容器，其特征在于每一个外部电极包含第一层和第二层，所述第一次包含烧结层，所述烧结层包含导电金属粉末和加入有玻璃粉的导电金属粉末中的一种，所述第二层包含电镀层。