[发明专利]电子装置、其制造方法及其制造装置无效
申请号: | 00117925.X | 申请日: | 2000-05-29 |
公开(公告)号: | CN1290962A | 公开(公告)日: | 2001-04-11 |
发明(设计)人: | 小林健;荒木隆志 | 申请(专利权)人: | 松下电子工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/15 | 分类号: | H01L23/15;H01L23/29;H01L25/04;H01L21/50;H05K1/05;H05K1/18;H05K3/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 及其 | ||
1.一种电子装置,该电子装置是在陶瓷基板上安装多组电子部件、利用热硬化性树脂对上述电子部件进行转移密封成形的电子装置,其特征在于:
在上述陶瓷基板的周围且在从上述陶瓷基板的表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备与上述陶瓷基板一体化的金属薄膜。
2.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述金属薄膜存在于上述陶瓷基板的表面一侧和背面一侧这两面上。
3.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
在作为陶瓷基板的原料的半成品薄片上印刷金属糊剂并对上述半成品薄片进行烧结时,上述金属薄膜与陶瓷基板进行一体化烧结。
4.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述金属薄膜是钨。
5.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述金属薄膜的厚度在10~50μm的范围内。
6.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述金属薄膜的宽度在1.0~2.5mm的范围内。
7.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述热硬化性树脂是环氧树脂。
8.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述热硬化性树脂的覆盖厚度在0.35~0.6mm的范围内。
9.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:
上述陶瓷基板的厚度在0.1~0.5mm的范围内。
10.一种电子装置,其特征在于:
利用切割将权利要求1的电子装置分割为单个的电子装置。
11.一种电子装置的制造方法,该方法是在陶瓷基板上安装多组电子部件、利用热硬化性树脂对上述电子部件进行转移密封成形的电子装置的制造方法,其特征在于:
横跨转移模塑金属模的腔的内部和外部来配置在上述陶瓷基板的周围且在从表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备一体化的金属薄膜的上述陶瓷基板,同时,在上述金属模的上金属模和下金属模相接的位置上配置上述金属薄膜,
将转移模塑用热硬化性树脂注入到上述腔的内部进行成形并进行加热硬化。
12.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述金属薄膜存在于上述陶瓷基板的表面一侧和背面一侧这两面上。
13.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
在作为陶瓷基板的原料的半成品薄片上印刷金属糊剂并对上述半成品薄片进行烧结时,上述金属薄膜与陶瓷基板进行一体化烧结。
14.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述金属薄膜是钨。
15.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述金属薄膜的厚度在10~50μm的范围内,宽度在1.0~2.5mm的范围内。
16.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述热硬化性树脂是环氧树脂。
17.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述成形的条件为:温度为140~190℃的范围,成形压力为10~50kg/cm2,硬化时间为60~100sec。
18.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
在上述上金属模和下金属模的至少一方的金属模的放置陶瓷基板的一部分上还具备滑动装置,将上述滑动装置配置成在对于上述陶瓷基板的厚度方向上进行挤压。
19.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
还使树脂膜密接在上金属模和下金属模的至少一方的树脂成形面上。
20.如权利要求11中所述的电子装置的制造方法,其特征在于:
上述金属薄膜在与陶瓷基板的至少一方的面的电极的烧结同时地以一体化的方式被形成。
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