[发明专利]多层基板有效
| 申请号： | 00118480.6 | 申请日： | 2000-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1279157A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 栗田英之;中村雅之 | 申请（专利权）人： | 索尼化学株式会社 |
| 主分类号： | B32B15/08 | 分类号： | B32B15/08;H05K1/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 | ||
1．一种交替地层叠多层树脂层与导电层而被构成的多层基板，其特征在于：
上述多层基板在被层叠的状态下的基板扩展方向的热膨胀系数不到10ppm／℃。
2．如权利要求1中所述的多层基板，其特征在于：
使用膜扩展方向的热膨胀系数不到10ppm／℃的聚酰亚胺膜作为上述各树脂层，
使用膜扩展方向的热膨胀系数为10ppm／℃以上的金属膜作为上述各导电层。
3．如权利要求1中所述的多层基板，其特征在于：
用膜扩展方向的热膨胀系数为2ppm／℃以上5ppm／℃以下的范围的第1种聚酰亚胺膜构成上述多层树脂层中的至少一层，用膜扩展方向的热膨胀系数超过5ppm／℃且在30ppm／℃以下的范围的第2种聚酰亚胺膜构成至少另一层，
使用扩展方向的热膨胀系数为10ppm／℃以上的金属膜作为上述各导电层。
4．如权利要求1中所述的多层基板，其特征在于：
上述树脂层中的至少一层具有膜扩展方向的热膨胀系数为2ppm／℃以上5ppm／℃以下的范围的第1种聚酰亚胺膜和膜扩展方向的热膨胀系数超过5ppm／℃且在30ppm／℃以下的范围的第2种聚酰亚胺膜的某一方的聚酰亚胺膜，
使用扩展方向的热膨胀系数为10ppm／℃以上的金属膜作为上述各导电层。
5．如权利要求3中所述的多层基板，其特征在于：
具有3层以上的上述树脂层，
配置了上述树脂层的至少2层以上的上述第2种聚酰亚胺膜，
将上述第1种聚酰亚胺膜配置成位于配置了上述第2种聚酰亚胺膜的上述树脂层之间的树脂层。
6．如权利要求3中所述的多层基板，其特征在于：
具有3层以上的上述树脂层，
配置了上述树脂层的至少2层以上的上述第1种聚酰亚胺膜，
将上述第2种聚酰亚胺膜配置成位于配置了上述第1种聚酰亚胺膜的上述树脂层之间的树脂层。
7．如权利要求1中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上设置其前端从上述多层基板表面突出的多个导电性的凸起。
8．如权利要求2中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上设置其前端从上述多层基板表面突出的多个导电性的凸起。
9．如权利要求3中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上设置其前端从上述多层基板表面突出的多个导电性的凸起。
1O．如权利要求1中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上，使上述导电层部分地露出。
11．如权利要求2中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上，使上述导电层部分地露出。
12．如权利要求3中所述的多层基板，其特征在于：
在该多层基板的至少单面上，使上述导电层部分地露出。
13．如权利要求7中所述的多层基板，其特征在于：
至少在与设置了上述导电性的凸起的面相反的面上，使上述金属层部分地露出。
14．如权利要求8中所述的多层基板，其特征在于：
至少在与设置了上述导电性的凸起的面相反的面上，使上述金属层部分地露出。
15．如权利要求9中所述的多层基板，其特征在于：
至少在与设置了上述导电性的凸起的面相反的面上，使上述金属层部分地露出。
16．一种半导体装置，其特征在于，具有：
多层基板，交替地层叠多层树脂层与导电层，在被层叠的状态下的基板扩展方向的热膨胀系数不到10ppm／℃；以及
半导体元件，与上述导电层的至少1层连接。
17．如权利要求16中所述的半导体装置，其特征在于：
使用膜扩展方向的热膨胀系数不到10ppm／℃的聚酰亚胺膜作为上述多层基板的上述各树脂层，
使用膜扩展方向的热膨胀系数为10ppm／℃以上的金属膜作为上述各导电层。
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