[发明专利]梯度线圈及其制造方法以及磁共振成像装置

权利要求书

1．一种用于MRI装置的梯度线圈，包括插在主梯度线圈与磁性构件之间的部分屏蔽线圈，所述部分屏蔽线圈的绕线位置仅定位在一高绕线密度区，该区域的一部分中的主梯度线圈的绕线密度是最高的。

2．一种制造用于MRI装置的梯度线圈的方法，包括把图像电流方法仅应用于一高绕线密度区并把边界条件仅应用于同一区来确定其绕线仅被定位于高绕线密度区的部分屏蔽线圈的绕线位置的步骤，在所述高绕线密度区的一部分中的主梯度线圈的绕线密度是最高的。

3．一种制造用于MRI装置的梯度线圈的方法，包括把优化面限定在部分屏蔽线圈与靠近所述部分屏蔽线圈分布的磁性构件之间的步骤，所述部分屏蔽线圈的绕线仅定位在一高绕线密度区，该高绕线密度区的一部分中的主梯度线圈的绕线密度是最高的，并且用最小平方方法优化所述部分屏蔽线圈的绕线位置，从而磁场在所述优化面内被最小化。

4．一种制造用于MRI装置的梯度线圈的方法，包括把图像电流方法仅应用于一高绕线密度区并把边界条件仅应用于同一区来确定使其绕线仅被定位于高绕线密度区的部分屏蔽线圈的绕线位置的步骤，该高绕线密度区的一部分中的主梯度线圈的绕线密度是最高的，还包括然后把优化面限定在所述部分屏蔽线圈与靠近该部分屏蔽线圈分布的磁性构件之间的步骤，以及用最小平方方法优化所述部分屏蔽线圈的绕线位置，从而磁场在优化面内被最小化的步骤。

5．一种MRI装置，包括包含主梯度线圈的梯度线圈和使其绕线仅定位在一高绕线密度区的部分屏蔽线圈，该高绕线密度区的一部分中的所述主梯度线圈的绕线密度是最高的。