[发明专利]半导体器件

权利要求书

1．一种半导体器件，包括：

在半导体衬底(1)的主表面上形成的第一导电型区域(2a)，

在所述半导体衬底(1)的主表面上在由元件隔离膜(3)分隔的所述第一导电型区域(2a)的表面上形成的元件形成区域(20a～20d)，

形成在所述元件形成区域(20a～20d)中的预定半导体元件(T1～T6)，

形成在所述半导体衬底(1)上以便覆盖所述半导体元件的绝缘膜(11)，和

在所述绝缘膜(11)上形成的露出所述元件形成区域(20a～20d)表面的第一接触孔(12c、12g)，

其特征在于，所述半导体元件(T1～T6)包括：

可横过所述元件形成区域(20a～20d)形成的电极部分(4a～4e)，

夹置所述电极部分(4a～4e)且在所述元件形成区域(20a～20d)的一侧和另一侧上形成的有第一杂质浓度的第二导电型的一对第一杂质区域(9a～9d)，和

形成在所述第一杂质区域(9a～9d)内的至少一个区域中以便包含所述第一接触孔(12c、12g)的接触部分且有比所述第一杂质浓度高的第二杂质浓度的第二导电型的第二杂质区域(10a～10d)，

在所述绝缘膜(11)和所述半导体元件(T1～T6)之间，形成与所述绝缘膜(11)腐蚀特性不同的腐蚀阻止膜(7、8)，以便与所述电极部分(4a～4e)两侧面直接连接，覆盖所述电极部分(4a～4e)，

所述第一接触孔(12c、12g)按与所述电极部分(4a～4e)平面重叠那样来配置。

2．如权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜(11)包括氧化硅膜(11)，

所述腐蚀阻止膜(7、8)至少包括氮化硅膜。

3．如权利要求1的半导体器件，其特征在于，还包括与所述电极部分(4a～4e)隔开间隔，且横过所述元件形成区域(20a～20d)那样形成的另一电极部分(4d)，

所述另一电极部分(4d)至少被与侧面直接连接的所述腐蚀阻止膜(7、8)覆盖，

所述第一接触孔(12c、12g)按与所述另一电极部分(4d)平面重叠那样来配置。

4．如权利要求3的半导体器件，其特征在于，所述电极部分(4a)与所述另一电极部分(4d)的间隔比所述腐蚀阻止膜(7、8)膜厚两倍长，

所述腐蚀阻止膜(7、8)的膜厚比所述电极部分(4a)和所述另一电极部分(4d)的高度薄。

5．如权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述第二杂质区域(10a、10b)通过所述第一接触孔(12c、12g)的所述接触部分导入杂质来形成。

6．如权利要求1的半导体器件，其特征在于，还包括形成在所述绝缘膜(11)中不与所述电极部分(4a)平面重叠配置的第二接触孔(12h)，和

包括所述第二接触孔(12h)的接触部分，且形成在所述第一杂质区域(9c)内的其它区域中，有比所述第一杂质浓度高的第三杂质浓度的第二导电型的第三杂质区域(10c)，

所述半导体元件(T5)是还包括所述第三杂质区域(10c)的晶体管(T5)，

所述第三杂质区域(10c)与位于所述第三杂质区域(10c)侧所述电极部分(4a)的侧面正下方的所述半导体衬底(1)的主表面的距离(S1)比所述第二杂质区域(10d)与位于所述第二杂质区域(10d)侧所述电极部分(4a)的侧面正下方的所述半导体衬底(1)的主表面的距离(S2)长。

7．如权利要求6的半导体器件，其特征在于，所述元件隔离绝缘膜(3)由所述腐蚀阻止膜(7、8)覆盖，

所述第一或第二接触孔(12c、12g、12h)按与所述元件隔离绝缘膜(3)平面重叠那样配置。