[发明专利]获取理想态高能单极磁场的方法和装置无效
| 申请号： | 00119041.5 | 申请日： | 2000-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1350309A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王文胜;苗延陆;任素强 | 申请（专利权）人： | 苗延陆 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00;B01J19/00;C02F1/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210002 江苏省南京市常府街85*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 获取 理想 高能 单极 磁场 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.获取理想态高能单极磁场的方法，其特征是在磁体的一端附着一导磁性能较好的铁磁性材料或者超导材料，在磁体的另一端，跨越工作区设置另一铁磁性材料或者超导材料，从而形成磁力线矢量趋于一致的工作磁场。
2.获取理想态高能单极磁场的方法，其特征在于它主要包括磁体、导磁体和固置框，磁体一端附着一导磁体，磁体的另一端，跨越工作区设置另一导磁体，磁体、导磁体与另一端的导磁体分别置于两个固置框上。
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