[发明专利]深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法无效
| 申请号： | 00119595.6 | 申请日： | 2000-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1137287C | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 王东平;王文辉;李铁;杨艺榕;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所;浙江大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;B81B5/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 费开逵 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 离子 刻蚀 技术 中可动 结构 牺牲 保护 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海冶金研究所;浙江大学，未经中国科学院上海冶金研究所;浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00119595.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：克锈液
- 下一篇：草酸电解还原制备乙醛酸的方法
