[发明专利]制造半导体元件的方法、半导体元件及陀螺仪

权利要求书

1、一种制造半导体元件的方法，包括以下步骤：

制备衬底上包括突起区的半导体元件部件；

将衬底上表面及突起区上表面和侧面掩埋于封装材料中；

暴露突起区上表面；

在突起区上表面上淀积电极材料；

去掉封装材料。

2、根据权利要求1的方法，其中通过在衬底上旋涂封装材料进行掩埋步骤。

3、根据权利要求1的方法，其中形成于突起区上表面上的封装材料的厚度小于形成于衬底上表面上的封装材料的厚度。 

4、根据权利要求1的方法，其中暴露步骤是利用等离子体腐蚀去掉突起区上表面上的封装材料的步骤。

5、根据权利要求1的方法，其中半导体元件部件是台面形或脊形。

6、根据权利要求1的方法，其中半导体元件部件包括有源层和夹着有源层的各包层。

7、一种制造半导体元件的方法，包括以下步骤：

制备衬底上包括突起区的半导体元件部件；

在衬底上表面及突起区上表面和侧面上形成第一钝化膜；

在第一钝化膜上形成第二钝化膜；

去掉突起区上表面上的第二钝化膜，暴露第一钝化膜；

去掉突起区上表面上的第一钝化膜；及

去掉衬底上表面上残留的第二钝化膜。

8、根据权利要求7的方法，其中去除留在衬底上表面上的第二钝化膜，同时去除留在突起区侧面上的第二钝化膜。

9、根据权利要求7的方法，其中半导体元件部件包括其上表面上的电极层。

10、根据权利要求7的方法，其中第一钝化膜由选自SiO₂、MgO、和SiN_x的一种材料构成。

11、根据权利要求7的方法，其中第二钝化膜是树脂。

12、根据权利要求7的方法，其中通过在衬底上旋涂封装材料进行形成第二钝化膜的步骤。

13、根据权利要求7的方法，其中通过等离子体腐蚀去除突起上表面上的第二钝化膜，进行暴露步骤。

14、根据权利要求7的方法，其中形成于突起区上表面上的第二钝化膜的厚度小于形成于衬底上表面上的第二钝化膜的厚度。

15、根据权利要求7的方法，其中半导体元件部件是台面形或脊形。

16、根据权利要求7的方法，其中半导体元件部件包括有源层和夹着有源层的各包层。

17、一种制造半导体元件的方法，包括以下步骤：

制备衬底上包括突起区的半导体元件部件；

在衬底上表面及突起区上表面和侧面上形成钝化膜；

将衬底上表面及突起区上表面和侧面掩埋于封装材料中；

暴露突起区上表面上的钝化膜；

去除突起区上表面上的钝化膜；

在突起区上表面上淀积电极材料；及

去掉封装材料。

18、根据权利要求17的方法，其中钝化膜由选自SiO₂、MgO、和SiN_x的一种材料构成。

19、利用权利要求1、7和17中任一项所述的方法制造的半导体元件。

20、利用权利要求1、7和17中任一项所述的方法制造的陀螺仪。

21、根据权利要求20的陀螺仪，包括环形脊波导和用于根据电压、电流或阻抗的频率偏差探测差频信号的装置。

22、根据权利要求20的陀螺仪，包括环形脊波导，其中波导包括不对称锥形区。