[发明专利]制造沟槽动态随机存取存储器中电容器掩埋片的工艺

权利要求书

1．一种制造深沟槽中的深沟槽电容器的工艺，其中的电容器包含所述沟槽上部区域中的颈圈和所述沟槽下部区域中的掩埋片，其中的改进包含，在制作所述沟槽上部区域中的所述颈圈之前，用非光敏的底层填充材料填充沟槽下部区域。

2．权利要求1的工艺，其中所述底层填充材料是旋涂玻璃。

3．权利要求1的工艺，还包含下列步骤：

(a)在衬底中制作所述深沟槽；

(b)用所述非光敏底层填充材料填充沟槽下部区域；

(c)在沟槽上部区域中制作所述颈圈；

(d)清除所述底层填充物；以及

(e)在所述沟槽下部区域中形成所述掩埋片。

4．权利要求3的工艺，其中所述步骤按顺序(a)、(b)、(c)、(d)、(e)依次执行。

5．权利要求4的工艺还包含，在步骤(a)之前，在所述衬底上制作衬垫膜，并在步骤(a)中制作通过所述衬垫膜进入所述衬底的所述沟槽。

6．权利要求4的工艺，其中步骤(d)包含借助于使用含有氢氟酸的化学溶液的湿法剥离方法，清除所述底层填充物。

7．权利要求4的工艺，其中步骤(e)包含，用选自ASG扩散、等离子体掺杂、等离子体离子注入、和气相扩散所构成的组中的方法制作所述掩埋片。

8．权利要求4的工艺，其中步骤(c)包含：

(ⅰ)在所述衬底、所述沟槽侧壁和所述底层填充物上，同形淀积介电材料；

(ⅱ)腐蚀所述衬底和所述底层填充物上的所述介质，在沟槽侧壁上留下介电颈圈。

9．权利要求8的工艺，其中步骤(c)中的(ⅰ)包含用化学汽相淀积方法淀积所述介电材料，其中所述介电材料是氧化物和氮氧化物中的一种。

10．权利要求9的工艺，其中步骤(c)中的(ⅱ)包含用各向异性干法腐蚀方法腐蚀所述衬底和所述底层填充物上的所述介质。

11．权利要求10的工艺，其中步骤(c)中的(ⅱ)包含用反应离子刻蚀方法腐蚀所述衬底和所述底层填充物上的所述介质。

12．权利要求4的工艺，其中用非光敏底层填充物填充沟槽下部区域的步骤(b)包含涂敷旋涂玻璃膜。

13．权利要求3的工艺，其中所述步骤按顺序(a)、(b)、(d)、(c)、(e)依次执行。

14．权利要求13的工艺，其中所述沟槽还包含侧壁和底部，此工艺在步骤(a)和(b)之间还包含在所述衬底、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部上制作势垒膜的步骤。

15．权利要求14的工艺，其中衬垫膜存在于所述衬底上，而制作势垒膜的步骤包含在所述衬垫膜上制作所述势垒膜。

16．权利要求14的工艺，在步骤(b)和(d)之间还包含从所述上部区域中的所述沟槽侧壁清除势垒膜的步骤。

17．权利要求16的工艺，还包含用化学腐蚀清除势垒膜。

18．权利要求17的工艺，其中的化学腐蚀步骤包含用含有磷酸的湿法溶液进行腐蚀。

19．权利要求16的工艺，其中的步骤(c)包含用热氧化方法生长所述颈圈。

20．权利要求13的工艺，其中用非光敏底层填充物填充沟槽下部区域的步骤(b)包含涂敷旋涂玻璃膜。

21．一种制造深沟槽电容器的工艺，此工艺包含依次执行下列步骤：

(a)在衬底上制作衬垫膜层；

(b)制作穿过所述衬垫膜层进入所述衬底的深沟槽，所述沟槽具有侧壁、底部、上部区域和下部区域；

(c)用旋涂玻璃底层填充物填充沟槽下部区域；

(d)在所述衬垫膜、所述沟槽侧壁和所述旋涂玻璃底层填充物上，同形淀积介电材料；

(e)腐蚀所述衬垫膜和所述旋涂玻璃底层填充物上的所述介电材料，在沟槽上部区域中的沟槽侧壁上留下介电材料组成的颈圈；

(f)清除所述旋涂玻璃底层填充物；以及

(g)在所述下部区域中制作掩埋片。

22．一种制造深沟槽电容器的工艺，此工艺包含依次执行下列步骤：

(a)在衬底上制作衬垫膜层；

(b)制作穿过所述衬垫膜层进入所述衬底的深沟槽，所述沟槽具有侧壁、底部、上部区域和下部区域；

(c)在所述衬底、所述沟槽侧壁和所述沟槽底部上，制作势垒膜；

(d)用旋涂玻璃底层填充物填充沟槽下部区域；

(e)腐蚀所述上部区域中的所述沟槽侧壁上的势垒膜；

(f)清除所述旋涂玻璃底层填充物；

(g)对所述上部区域中的所述沟槽侧壁进行热氧化以生长颈圈；以及

(h)在所述下部区域中制作掩埋片。