[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法和动作方法

权利要求书

1．一种半导体集成电路装置，具有：

在半导体衬底的主面上形成的第1导电类型的阱；在上述阱内在第1方向上延伸形成的第2导电类型的半导体区域；在上述半导体衬底上通过第1绝缘膜形成的第1栅极；在上述第1栅极上通过第2绝缘膜形成的第2栅极；和上述第1栅极之间存在着第3绝缘膜而形成的第3栅极，

上述第3栅极被形成为在上述第1方向上延伸，并形成为埋入到上述第1栅极的间隙内。

2．权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征是：上述第1栅极形成为对于上述第3栅极对称，而上述第3栅极被形成为对于上述第1栅极对称。

3．权利要求1中的任何一项所述的半导体集成电路装置，其特征是：具有下述任何一种构成：

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是擦除栅极的第1构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是控制分层沟道的栅极的第2构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极具有擦除栅极和控制分层沟道这两方面功能的第3构成。

4．权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征是：上述第3栅极，其一部分位于上述第2导电类型的半导体区域的上边。

5．权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征是：

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是擦除栅极；

上述第3栅极，其整个面都位于上述第2导电类型的半导体区域上边。

6．权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征是：上述第3绝缘膜是掺入了氮的硅氧化膜。

7．一种半导体集成电路装置，具有：

在半导体衬底的主面上形成的第1导电类型的阱；在上述阱内在第1方向上延伸形成的第2导电类型的半导体区域；在上述半导体衬底上通过第1绝缘膜形成的第1栅极；在上述第1栅极上通过第2绝缘膜形成的第2栅极；第3栅极，

上述第3栅极的端面是在相邻的上述第1栅极间相对的端面，且被形成为中间存在着第3绝缘膜地与平行于上述第1方向存在的上述第1栅极的端面相对。

8．权利要求7所述的半导体集成电路装置，其特征是：具有下述任何一种构成：

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是擦除栅极的第1构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是控制分层沟道的栅极的第2构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极具有擦除栅极和控制分层沟道这两方面功能的第3构成。

9．权利要求8所述的半导体集成电路装置，其特征是：上述第3栅极，其一部分位于上述第2导电类型的半导体区域的上边。

10．权利要求7所述的半导体集成电路装置，其特征是：

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是擦除栅极；

上述第3栅极，其整个面都位于上述第2导电类型的半导体区域上边。

11．权利要求7所述的半导体集成电路装置，其特征是：上述第3绝缘膜是掺入了氮的硅氧化膜。

12．一种半导体集成电路装置，具有：在半导体衬底的主面上形成的第1导电类型的阱；在上述阱内形成的第2导电类型的半导体区域；在上述半导体衬底上通过第1绝缘膜形成的第1栅极；在上述第1栅极上通过第2绝缘膜形成的第2栅极；和上述第1栅极之间存在着第3绝缘膜而形成的第3栅极，

上述第3栅极的上表面位于比上述第1栅极的上表面还低的位置处。

13．权利要求12所述的半导体集成电路装置，具有下述任一构成：

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是擦除栅极的第1构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是控制分层沟道的栅极的第2构成；

上述第1栅极是浮置栅极，上述第2栅极是控制栅极，上述第3栅极是具有擦除栅极和控制分层沟道的栅极这两方面功能的栅极的第3构成。