[发明专利]具备选择性衰减辐射线的材料的紫外线辐射系统有效
申请号: | 00120267.7 | 申请日: | 2000-07-13 |
公开(公告)号: | CN1306864A | 公开(公告)日: | 2001-08-08 |
发明(设计)人: | A·W·金布勒;J·B·恩斯;J·A·埃贝尔 | 申请(专利权)人: | 庄臣及庄臣视力保护公司 |
主分类号: | A61L2/10 | 分类号: | A61L2/10;A23L3/00;B65B55/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志,王其灏 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 选择性 衰减 辐射 材料 紫外线 系统 | ||
1.一种包括UV辐射源的高能量辐射系统,其中该装置包括选择性衰减材料,通过选择性衰减至少30%撞击于该衰减材料上的高于200nm直至240nm的辐射线,而增加想要的辐射线相对于不想要的辐射线的比率,以降低辐射线对目标的损害,其并可导引50%以上撞击于该衰减材料上的240nm至280nm的辐射线。
2.根据权利要求1的系统,其中该经选择性衰减的辐射线为100nm直至240nm。
3.根据权利要求1的系统,其中该经选择性衰减的辐射线为180nm直至240nm。
4.根据权利要求3的系统,其中该系统选择性衰减至少60%的180nm直至240nm的辐射线。
5.根据权利要求3的系统,其中该系统选择性衰减至少90%的180nm直至240nm的辐射线。
6.根据权利要求1的系统,其中该系统选择性衰减90%以上的高于200nm直至240nm的辐射线。
7.根据权利要求1的系统,其中该系统导引75%以上的240nm至280nm的辐射线。
8.根据权利要求4的系统,其中该系统导引75%以上的240nm至280nm的辐射线。
9.根据权利要求4的系统,其中该系统导引90%以上的240nm至280nm的辐射线。
10.根据权利要求2的系统,其中该系统导引90%以上的240nm直至280nm的辐射线,且其中该系统选择性衰减至少90%的100nm直至240nm的辐射线。
11.根据权利要求1的系统,其中该衰减材料具有1.2的衰减比率。
12.根据权利要求3的系统,其中该衰减材料具有1.8的衰减比率。
13.根据权利要求1的系统,其中该衰减材料包含气体。
14.根据权利要求1的系统,其中该衰减材料包含液体。
15.根据权利要求14的系统,其中该液体选自多醇类、卤化碳化合物、有机碳酸酯类、硅化合物、上述液体的混合物、以及于液体载体中的固态衰减材料。
16.根据权利要求14的系统,其中该液体选自烷基醇、具有200至1,000的重均分子量的丙二醇类、氟碳化合物、氯碳化合物、氯仿、全卤化碳化合物、氟利昂、氟奈特(fluorinerts)、在其组成中具有氮的氟奈特(fluorinerts)、脂族碳酸酯类、碳酸异丙烯酯类、硅酸钠、聚硅氧烷化合物、聚二甲基硅氧烷类、以氢化物为终端的硅油、以及上述液体的混合物。
17.根据权利要求14的系统,其中该液体包括氯仿与碳酸异丙烯酯。
18.根据权利要求15的系统,其中液态衰减材料的位置选自介于灯外壳与流管之间、介于流管与保护窗之间、于邻近反射器的通道内、于邻近保护窗的通道内、以及于介于目标与辐射源间的通道内。
19.根据权利要求1的系统,其中该衰减材料包含固体。
20.根据权利要求19的系统,其中该固体选自碱金属化合物、重金属氧化物、二价金属氧化物与多价金属氧化物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、以及金属组合氧化物。
21.根据权利要求19的系统,其中该固体包括MaObXcHd,其中M为单一金属或金属的混合物,O为氧,X为杂原子,且H为卤化物,a为1至20,b为0至20,c为0至20,且d为0至20,条件是至少b、c或d为至少1。
22.根据权利要求19的系统,其中该固体材料具有大于99.9%的纯度。
23.根据权利要求19的系统,其中该固体材料选自氧化钙、氧化铪、氧化镧、氧化铁、氧化铽、氧化镨、钛酸钡、氟化镁、氧化镁、氧化铝、氧化钡、钛酸钡、氧化钬、氧化钙、氧化镧、氧化锗、氧化碲、氧化铕、氧化铒、氧化钕、氧化钐、氧化镱、氧化钇及氧化镝。
24.根据权利要求19的系统,其中该固体材料选自氧化镧、氧化镱、以及氧化钇。
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