[发明专利]数-模转换电路和半导体器件有效

专利信息
申请号: 00120391.6 申请日: 2000-05-17
公开(公告)号: CN1280420A 公开(公告)日: 2001-01-17
发明(设计)人: 长尾祥 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H03M1/00 分类号: H03M1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 转换 电路 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种D/A转换电路,包括:

n 个电阻器A0、A1、…、An-1

n个电阻器B0、B1、…、Bn-1

一根电源电压线L和一根电源电压线H,它们维持于相互不同的电位;

n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1;

n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1;和

一根输出线,

其中,n个电阻器A0、A1、…、An-1的电阻值分别为R、2R、…、2n-1R,

n表示1或大于1的自然数,R表示一个正数,

n个电阻器B0、B1、…、Bn-1的电阻值分别为R、2R、…、2n-1R,

n个电阻器A0、A1、…、An-1中每个电阻器的两端连接至n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1中每个开关的一端和输出线,

n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1中每个开关的未连接至n个电阻器A0、A1、…、An-1中每个电阻器的那一端连接至电源电压线L,

n个电阻器B0、B1、…、Bn-1中每个电阻器的两端连接至n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1中每个开关的一端和输出线,

n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1中每个开关的未连接至n个电阻器B0、B1、…、Bn-1中每个电阻器的那一端连接至电源电压线H,

n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1和n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1由从外部输入的n位数字信号控制,

输入至n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1的n位数字信号的反相信号分别输入至n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1,并且

从所述输出线输出一个模拟灰度电压信号。

2.根据权利要求1的电路,其中,每个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1包括一个薄膜晶体管。

3.根据权利要求1的电路,其中,每个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1包括一个薄膜晶体管。

4.根据权利要求2的电路,其中,薄膜晶体管包括下列晶体管中的至少一个:n沟道型薄膜晶体管和p沟道型薄膜晶体管。

5.一种D/A转换电路,包括:

一根电源电压线H和一根电源电压线L,它们维持于相互不同的电位;

n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1,每个包括一个薄膜晶体管;

n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1,每个包括一个薄膜晶体管;和

一根输出线,

其中,薄膜晶体管包括:

一个栅极;

一个有源层,它具有一个源区、一个漏区和一个沟道形成区;和

一个栅极绝缘膜,它设置在栅极和有源层之间,

其中,薄膜晶体管的内阻的阻值由通式2n-1R示,

n表示1或大于1的自然数,R表示一个正数,

其中,n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1中每个开关的一端连接至电源电压线L,另一端连接至输出线,

n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1中每个开关的一端连接至电源电压线H,另一端连接至输出线,

n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1和n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1由从外部输入的n位数字信号控制,

输入至n个开关SWa0、SWa1、…、SWan-1的n位数字信号的反相信号分别输入至n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn-1,并且

从所述输出线输出一个模拟灰度电压信号。

6.根据权利要求5的电路,其中,薄膜晶体管的内阻的阻值是根据沟道形成区的沟道宽度W确定的。

7.根据权利要求5的电路,其中,薄膜晶体管的内阻的阻值是根据沟道形成区的长度L确定的。

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