[发明专利]片型浪涌吸收器及其制造方法

权利要求书

1．一种片型浪涌吸收器，包括：长方体形的绝缘基体；与所述绝缘基体一起构造填充放电气体的箱状密封室的底面开口的绝缘密封盖；设在所述密封室的两端部的端子电极；导通端子电极、在密封室内形成放电间隙地设置的一对放电电极；设在放电电极和端子电极的连接部、用于扩大连接面积的连接面。

2．一种片型浪涌吸收器，包括：长方体形的绝缘基体；与绝缘基体一起构造填充放电气体的箱状密封室的底面开口的绝缘密封盖；设在所述密封室的两端部的端子电极；导通端子电极、在密封室内形成放电间隙地设置的二至五对放电电极；设在放电电极和端子电极的连接部、用于扩大连接面积的连接面。

3．一种片型浪涌吸收器，在绝缘基体的上面，经放电间隙互相相对地形成放电电极，同时，粘接密封盖的周边部以包围这些放电电极的上方空间，其特征在于，所述放电电极位于与密封盖和绝缘基体的粘接部的末端部，比形成放电间隙的前端部电阻值小。

4．如权利要求3所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，所述放电电极的末端部比前端部至少厚度增大。

5．如权利要求4所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，所述放电电极的末端部突出到密封盖所包围的空间内。

6．一种片型浪涌吸收器，包括：内部具有贯通的空腔的长方体形绝缘基体；在该绝缘基体的两端配置成闭合上述贯通的空腔的一对端子电极；由所述绝缘基体和端子电极所闭合的空腔即封入放电气体的密封室；在该密封室内的绝缘基体上的一面设置放电间隙而配置的一对放电电极，并且，放电电极与端子电极电导通，

其特征在于，在上述密封室内的绝缘基体上的其它面设置与放电电极及端子电极隔离的中继弧光放电的中继电极。

7. 如权利要求6所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，上述绝缘基体的内侧端面部在中继电极的端部和端子电极之间向内面切陷。

8．如权利要求6所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，所述放电间隙为多个。

9．如权利要求7所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，上述放电间隙为多个。

10．一种片型浪涌吸收器，在具有耐热性的绝缘基体上隔微小间隙形成一对放电电极，将所述微小间隙包围在密闭空间内的密封盖紧附在所述绝缘基体上，

其特征在于，至少在所述绝缘基体和所述放电电极之间设有比绝缘基体耐热性低的低耐热绝缘层。

11．如权利要求10所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，所述低耐热绝缘层形成于所述绝缘基体的平坦基板面上，在该低耐热绝缘层上层叠所述放电电极。

12．一种片型浪涌吸收器的制造方法，其特征在于包括下列工序：

在具有耐热性的绝缘基体平坦的基板表面上形成比该绝缘基体耐热性低的带状低耐热绝缘层；

在该带状低耐热绝缘层上层叠同一带状的导电膜；

在正交于长度方向的方向通过激光切割与所述低耐热绝缘层同时分断该导电膜而形成隔微小间隙的一对放电电极。

13．一种片型浪涌吸收器，包括在绝缘基体上经放电间隙互相相对配置的放电电极，

其特征在于，在所述绝缘基体与所述各放电电极之间设置介电常数大于所述绝缘基体的介质层，

所述介质层的至少一部分露出所述放电间隙。

14．如权利要求13所述的片型浪涌吸收器，其特征在于，所述介质层由具有与绝缘基体的介电常数相比至少两倍以上的介电常数的材质构成。