[发明专利]一种制造显示基板的方法及利用该方法制造的显示基板无效
申请号: | 00121464.0 | 申请日: | 2000-07-24 |
公开(公告)号: | CN1282091A | 公开(公告)日: | 2001-01-31 |
发明(设计)人: | 中村真记;水野俊明;荻野悦男;安崎利明 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00;H01J17/49;C23C14/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 显示 方法 利用 | ||
本发明涉及一种制造显示基板的方法和一种用该方法制造的显示基板,较具体地涉及一种制造其上形成有一个防止基板表面带电的薄膜的显示基板的方法和一种用该方法制造的显示基板。
普通用于包括表面导电电子发射器件(SED)和等离子体显示面板(PDP)的场发射显示器(FED)的显示基板有这样的缺点:由于FED或PDP的驱动方法,亦即,由于为了产生光而在两基板之间施加高电场或者由于基板表面被暴露于等离子体中,基板的表面易于带电。带电可能导致产生电火花,从而缩短显示元件的工作寿命。基板表面的带电程度取决于基板的表面电阻。
为了防止因基板表面带电而引起的显示元件寿命缩短,已有人建议在基板表面上形成一个金属氮氧化合物薄膜,其表面电阻被控制在某个适合于抗带电的希望值上。基板表面上的金属氮氧化合物薄膜是这样形成的:在氧、氮混俣气体环境中利用一个金属靶标进行溅射。通过改变混合气体环境中氧与氮的混合比把薄膜的表面电阻值控制在一个希望值上。
然而,按照普通的抗带电方法,由于在利用金属靶标进行溅射的过程中即使氧、氮的混合比仅有小量的改变,形成在基板表面上的薄膜的表面电阻也将发生剧烈的变化,所以要把表面电阻控制到一个希望的值上是困难的。
因此本发明的一个目的是提供一种制造显示基板的方法,和一种用该方法制造的显示基板,其中该方法能容易地控制形成在基板表面上的抗带电薄膜的表面电阻。
为了达到上述目的,本发明提供这样一种制造显示基板的方法,该方法包括以下步骤:用金属氧化物制备一个靶标,以及在一种惰性气体与氮气的混合气体环境中利用该靶标以溅射法在基板表面上形成一个金属氮氧化合物薄膜,其中环境中的惰性气体与氮气的混合比被调节得使薄膜具有希望的表面电阻值。
根据本发明的方法,有可能容易地把形成在基板表面上的抗带电薄膜的表面电阻值控制到一个希望的值上。
含在环境中的惰性气体的体积比最好为5%至95%。
这样便有可能以可靠的和高度可复现的方式在基板表面上形成金属氮氧化合物抗带电薄膜,从而有可能主动地把薄膜的表面电阻值控制到一个希望值上。
希望的表面电阻值最好在1.0×108Ω/□至1.0×1012Ω/□之间。
这样,基板表面上的电荷便可能消散,从而有可能抑制由基板表面带电引起的显示元件寿命缩短,也即,显示元件可以充分地支持实际使用。
在本发明的一种优选形式中,靶标至少由两种金属氧化物组成。
这样便有可能以更加可靠的方式来把薄膜的表面电阻控制到希望值上。
两种金属氧化物中的一种最好是氧化钛或氧化锆。
两种金属氧化物中的另一种最好是氧化铌、氧化钒、氧化钽、氧化钇、或者氧化钨。
含在靶标中的两种金属氧化物中的一种所占的重量比最好是70%至99.5%。
含在靶标中的两种金属氧化物中的另一种所占的重量比最好是0.5%至30%。
这样便有可能以更加可靠的方式来控制薄膜的表面电阻值。
在本发明的另一种优选形式中,制造显示基板的方法还包括下述步骤:在形成于基板表面上的薄膜之上再形成至少一个抗可移动离子热扩散薄膜。
这样便有可能在防止基板表面带电的同时还防止由可移动离子的热扩散所造成的显示元件不正常工作。
抗可移动离子热扩散薄膜最好由化合物氧化硅、氮氧化硅、或者氮化硅组成。
这样便有可能主动地防止由可移动离子的热扩散所造成的显示元件不正常工作。
抗可移动离子热扩散薄膜的总厚度最好是20nm至1000nm。
这样便有可能有效地防止由可移动离子的热扩散所造成的显示元件不正常工作。
此外,本发明还提供一种用下述方法制造的显示基板:用金属氧化物制备一个靶标,以及在一种惰性气体和氮气的混合气体环境中利用靶标以溅射法在基板表面上形成一个金属氮氧化合物薄膜,上述环境中的上述惰性气体与氮气的混合比被调节得能使上述薄膜具有希望的表面电阻值。
根据本发明的显示基板不会发生基板表面的带电,这使得有可能以低成本获得不会缩短显示元件寿命的显示基板。
通过下面结合附图所给出的详细说明,本发明的上述和其他目的、特征和优点将变得更为明显。
图1是采用根据本发明一个实施例的显示基板的平面型表面导电电子发射器件的截面图;
图2是图1中薄膜11的截面图;
图3是说明例1中薄膜11的表面电阻的图;
图4是说明对比例1中薄膜11的表面电阻的图;
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