[发明专利]半导体集成电路、具该电路的无接触信息媒体及驱动方法有效
申请号: | 00121638.4 | 申请日: | 2000-06-01 |
公开(公告)号: | CN1280349A | 公开(公告)日: | 2001-01-17 |
发明(设计)人: | 浅田浩明;中根让治;角辰己;松浦武敏;井上敦雄 | 申请(专利权)人: | 松下电子工业株式会社 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 电路 接触 信息 媒体 驱动 方法 | ||
1.一种半导体集成电路,包括:
一个整流电路,它将交流电源整流成为直流电源;
一个稳压器电路,它包括一个用于接收直流电源的输入端、一个输出端和一个用于接收一个参考电压的控制端,该电路进行控制,以使从所述输出端输出的电压不超过由所述控制端接收的所述参考电压决定的一个电压值;和
一个参考电压变换电路,它相应于所述直流电源的电压变化来改变所述控制端接收的所述参考电压。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,所述参考电压变换电路包括:
一个参考电压产生电路,它包括一个用于输出所述参考电压的输出端;和
一个CR时间常数电路,它包括串联的一个电容器和一个电阻,所述电容器的一端连接至所述输入端,电阻的一端连接至所述参考电压输出端,其中,
所述控制端连接至所述电容器与电阻之间的一个节点。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,
所述电容器是一个MOS晶体管,其中,
所述MOS晶体管的源极、漏极和基片连接至所述输入端,所述MOS晶体管的栅极连接至所述电阻与所述控制端之间的一个节点。
4.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,所述参考电压变换电路还包括:
一个第二电容器,其一端连接至所述控制端,其另一端接地。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,所述参考电压变换电路还包括:
一个参考电压产生电路,它包括一个用于输出所述参考电压的参考电压输出端;
一个第一电容器,其一端连接至所述输入端;和
一个第二电容器,其一端连接至所述参考电压输出端,其另一端连接至所述第一电容器的另一端,其中,
所述控制端连接至所述第一电容器和第二电容器之间的一个节点。
6.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,它还包括:
一个电源接通复位电路,在所述整流电路开始输出直流电源之后的一个预定时间,该复位电路的输出从一个第一输出电平变化到一个第二输出电平;和
一个切换装置,它具有至少一个第一端、一个第二端和一个第三端,所述第一端连接至所述电源接通复位电路的一个输出端,所述第二端连接至地线,所述第三端连接至所述控制端,当所述电源接通复位电路的输出是所述第一输出电平时,它允许电流在所述第二端和第三端之间流动,当所述电源接通复位电路的输出是所述第二输出电平时,它不允许电流在所述第二端和第三端之间流动。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路,其特征在于,
所述切换装置是一个MOS晶体管。
8.根据权利要求6所述的半导体集成电路,其特征在于,所述电源接通复位电路包括:
一个第二电容器,其一端接地线;
一个反相器,从所述整流器电路开始输出直流电源之后直至所述第二电容器已被充电为止,该反相器的输出是所述第一输出电平,并且在所述第二电容器已被充电之后,该反相器的输出是所述第二输出电平。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路,其特征在于,所述电源接通复位电路还包括:
一个阻抗装置,其一端连接至所述第二电容器与所述反相器的一个输入端之间的一个节点,其另一端连接至输出直流电源的所述整流器电路的一个输出端;
一个切换装置,其一端连接至所述第二电容器与所述反相器的一个输入端之间的节点,在所述整流器电路停止输出直流电源时,该切换装置允许电流流过其本身,以允许所述第二电容器放电。
10.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,它还包括:
一个差分电路,它对来自所述稳压器电路的一个输出端的输出进行差分处理并输出一个差分信号;和
一个检测装置,它根据所述差分信号来检测所述直流电源的电压值的变化。
11.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,
所述整流器电路是一个并行输出两个具有不同电压值的直流电源的两电压整流器电路。
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