[发明专利]薄膜谐振器装置及其制作方法

权利要求书

1．一种制作薄膜谐振器装置的方法，所述方法的特征为包括步骤：

提供一生长表面(40)；和

在所述生长表面(40)上外延生长一压电膜(46)，直至其厚度给出所述薄膜谐振器的谐振频率。

2．按照权利要求1的方法，其特征在于所述提供步骤还包括：

提供一单晶硅衬底(40)作为所述生长表面(40)。

3．按照权利要求2的方法，其中所述外延生长步骤的特征为：

用分子束外延法，在所述衬底外延生长所述压电膜(46)。

4．按照权利要求3的方法，其中所述外延生长步骤的特征为：

在所述衬底(40)外延生长一氮化铝压电膜(46)。

5．按照权利要求2的方法的特征为：

在所述压电膜(46)下面，除去所述衬底(40)的一部分(47)；和

在所述压电膜(46)下面，淀积一电极(54)。

6．按照权利要求2的方法的特征为：

在所述衬底(40)上外延生长所述压电膜(46)之前，在所述衬底(40)内提供一蚀刻阻挡层(44)；

在所述压电膜(46)下面，蚀刻所述衬底(40)的一部分(47)，直至所述蚀刻阻挡层(44)；和

在所述压电膜(46)下面在淀积电极(54)之前，除去所述蚀刻阻挡层(44)。

7．按照权利要求6的方法，其特征在于，在淀积所述电极(54)之前和在蚀刻所述衬底(40)的所述部分(47)之后：

使所述压电膜(46)和所述衬底(40)氧化；和

至少除去所述压电膜(46)的所述第二侧上的所述氧化层。

8．一种薄膜谐振器，其特征为包括：

一个第一电极(52)和一个第二电极(54)；和

在所述第一电极和所述第二电极之间的压电膜(46)，所述膜(46)用外延法生长至给出所述薄膜谐振器的谐振频率的厚度。

9．按照权利要求8的装置，其特征为，所述压电膜(46)是在有均一结晶取向的衬底(40)上外延生长的。

10．按照权利要求9的装置，其特征为，所述压电膜(46)有均一结晶取向。

11．按照权利要求9的装置，其特征为，所述压电膜(46)沿所述膜都有宽度小于1度的X射线衍射峰。

12．一种制作薄膜谐振器装置的方法，所述方法的特征为：

提供一衬底(40)；

在所述衬底(40)上生长一压电膜(46)；

在所述压电膜(46)下面，除去所述衬底(40)的一部分(47)；和

在所述压电膜(46)下面，淀积一电极(54)。

13．一种薄膜谐振器，其特征为包括：

一个第一电极(52)和一个第二电极(54)；和

在所述第一电极和所述第二电极之间的压电膜(46)，所述膜是在一衬底(40)上生长的。