[发明专利]带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管无效
| 申请号： | 00122233.3 | 申请日： | 1991-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1323070A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 贝德诺茨·J·乔治;曼哈特·J·迪特尔;米勒·C·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒置 misfet 结构 超导 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1．一种超导体场效应晶体管，其特征在于包括：
一个导电性基底，由某结晶体群中的第一材料的单晶体组成，所述晶体具有预定的晶体取向；
一个栅极，由一个到所述基底的接点构成；
一个绝缘势垒层，在所述基底的上表面上，所述绝缘势垒层由所述结晶体群中的第二材料组成，并且具有与预定晶体取向相同的晶体取向；
一个超导薄膜层，在所述绝缘势垒层的上表面上；
一对金属端片，在所述超导薄膜的上表面上，第一金属端片是源极，第二金属端片是漏极；以及
一个由电场控制的电流沟道，位于两个金属端片之间的所述超导薄膜层中。
2．根据权利要求1的场效应晶体管，其特征在于所述第一材料由掺铌的钛酸锶Nb:SrTiO3构成，铌的掺杂系数为0.001％至10％。
3．根据权利要求2的场效应晶体管，其特征在于铌的掺杂系数为0.05％。
4．根据权利要求1的场效应晶体管，其特征在于所述第二材料由具有{100}晶体取向的钛酸锶SrTiO3组成，所述绝缘势垒层的厚度为0.3至100毫微米。
5．根据权利要求1的场效应晶体管，其特征在于所述基底的晶体取向是{100}。
6．根据权利要求1的场效应晶体管，其特征在于构成栅极的到所述基底的所述接点由扩散在所述基底中的银构成。
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