[发明专利]电光装置和电子设备

说明书

本发明涉及一种电光装置，典型地涉及一种在基片上制造的半导体元件(应用半导体薄膜的元件)形成的EL(电致发光)显示装置，以及涉及一种以电光装置作为显示器(也称作显示部分)的电子装备(电子设备)。

近年来在基片上形成TFT的技术进步非常快，并且早已将其应用到有源矩阵型显示装置中。具体地说，应用多晶硅膜的TFT比应用常规的多孔硅的TFT具有更高的电场效应迁移率(也称为移动性)，因此能够进行高速操作。因此，能够通过形成在相同的基片上作为像素的驱动器电路进行像素控制，这种像素控制通常是通过在基片外部的驱动器电路执行。

这种类型的有源矩阵显示装置已经引起了人们的注意，因为它具有许多优点，如通过将在相同基片上的各种电路和元件结合到这种类型的有源矩阵显示装置中，能够例如降低制造成本，尺寸小，增加产量和具有更高的生产率。

将由TFT形成的开关元件设置在每个像素中并通过该开关元件驱动执行电流控制的驱动器元件，使在有源矩阵EL显示装置中的EL层(光发射层)发光。例如，在美国专利US5,684,365(日本专利申请公开No．8-234683)和日本专利申请公开No．10－189252中都公开了EL显示装置。

在这些装置中都存在由于潮湿引起的EL材料老化的问题。特别是有机EL材料，不仅潮湿而且氧气都能够引起老化。因此通常通过如在日本特许公开No．8-78159中所公开的那样将EL元件密封起来以使EL元件不受潮湿等的影响。

然而，EL层的问题还不仅限于潮湿引起的问题。EL层本身包括碱金属(比如钠(Na))，当碱金属扩散到TFT中时对TFT的操作就会引起严重的问题。

此外，由于EL层的抗热性能够很差，热量的积累引起的老化也很成问题。必须指出的是，在本说明书中碱金属指碱性金属，其包括碱土金属。

考虑到上述常规技术，本发明的一个目的是提供一种具有较好的操作性能和较高的可靠性的电光装置，具体地说提供一种EL显示装置。本发明的另一个目的是通过提高电光装置的图象质量来提高以电光装置作为显示器的电子装备(电子设备)的质量。

为实现上述目的，本发明能够防止由于潮湿引起的EL元件的老化、由于碱金属的释放和发热引起的老化。具体地说，将能够达到上述目的的绝缘膜与EL元件相接触地设置，或者更可取的是，用这种绝缘膜包围该EL元件。

也就是说，将这样的一种绝缘膜设置在距离EL元件最近的位置：该绝缘膜能够阻挡潮湿和碱金属的影响，并且具有热辐射作用。因此能够通过该绝缘膜抑制EL元件的老化。

需指出的是，对于不能仅应用单层绝缘膜的地方可以应用如下分层结构：阻挡潮湿和碱金属影响的绝缘膜和具有热辐射作用的绝缘膜的分层结构。此外，还可以应用阻挡潮湿影响的绝缘膜、阻挡碱金属影响的绝缘膜和具有热辐射作用的绝缘膜的分层结构。

无论如何，都应该采取措施降低潮湿和发热的影响以抑制EL层的老化(也可以称为EL元件的老化)，并且还有必要采取措施防止发热、潮湿和碱金属对驱动EL元件TFT本身的影响。

在附图中：

附图1所示为EL显示装置的像素部分的横截面结构；

附图2A和2B所示分别为EL显示装置的像素部分的顶视图和结构图；

附图3A至3E所示为有源矩阵型EL显示装置的制造过程；

附图4A至4D所示为有源矩阵型EL显示装置的制造过程；

附图5A至5C所示为有源矩阵型EL显示装置的制造过程；

附图6所示为EL模块的外部视图；

附图7所示为EL显示装置的电路方块结构图；

附图8所示为EL显示装置的像素部分的放大图；

附图9所示为EL显示装置的采样电路的元件结构图；

附图10所示为EL显示装置的像素部分的组成图；

附图11所示为EL显示装置的横截面结构图；

附图12A和12B所示分别为EL显示装置的像素部分的顶视图和结构图；

附图13所示为EL显示装置的横截面结构图；

附图14所示为EL显示装置的横截面结构图；

附图15A和15B所示分别为EL显示装置的像素部分的顶视图和组成图；

附图16A至16F所示为电子设备的具体实例；

附图17A和17B所示为EL模块的外部视图；

附图18A至18C所示为触点结构的制造过程；

附图19所示为EL层的分层结构；

附图20A至20B所示为电子设备的具体实例；