[发明专利]集成抗反射层与金属硅化物块的方法

权利要求书

1.一种集成抗反射层与自行对准硅化物块的方法，其特征在于，至少包含：

提供一衬底，所述衬底至少可分为一检测器区域与一晶体管区域，其中所述检测器区域至少包含一掺杂区而所述晶体管区域至少包含由一栅极、一源极与一漏极所形成的一晶体管；

形成一复合层在所述衬底上，所述复合层同时覆盖所述掺杂区与所述晶体管，在此所述复合层用来增大自所述掺杂区进入所述复合层的光线的反射率；

以一微影蚀刻程序移除部份的所述复合层，从而使得所述栅极的顶部、所述源极与所述漏极皆未被所述复合层所覆盖：以及

执行一自行对准硅化物程序，从而形成一金属硅化物在所述栅极的顶部、所述源极与所述汲极之上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测器区域与所述晶体管区域是以一绝缘层所分开。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极顶部的材料为多晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层是由多个基层所交错相叠而成。

5.如权利要求4所述的方法，其中每一个所述基层的折射率皆与相邻的其它所述基层的折射率不同。

6.如权利要求4所述的方法，其中越靠近所述掺杂区的所述基层的折射率越高，越远离所述掺杂区的所述基层的折射率越低。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层的材料至少包含等离子体增强四氧乙基硅以及等离子体增强氮化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层是由至少一层的等离子体增强四氧乙基硅层与至少一层的等离子体增强氮化硅层交错相叠而成。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强四氧乙基硅层是以等离子体增强化学气相沉积程序所形成的。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强氮化硅层是以等离子体增强化学气相沉积程序所形成的。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合层的厚度大约为500埃。

12.一种形成光检测元件的方法，其特征在于，至少包含：

提供一衬底，所述衬底至少包含多个掺杂区、多个晶体管与多个绝缘层：

形成一复合层在底上并覆盖所有的所述掺杂区、所述晶体管与所述绝缘层，在此所述复合层用来增大自所述衬底进入所述复合层的光线的反射率；

执行一微影蚀刻程序，从而定义随后要形成金属硅化物的区域并移除位于所述区域部分的所述复合层，其中所述区域至少包含多个栅极的顶部、多个源极与多个漏极；

执行一自行对准硅化物程序，从而形成一金属硅化物在所述栅极顶部、所述源极与所述漏极之上；

移除所述自行对准硅化物程序剩余的反应物；

形成一第一介电层在所述复合层与所述金属硅化物上；

形成多个多重内连线在所述第一介电层上，所述多重内连线位于所述晶体管与所述绝缘层的上方；

以一第二介电层覆盖所述第一介电层与所述多重内连线；以及

形成多个滤光器在所述第二介电层上，所述滤光器位于所述掺杂区的上方。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述衬底还包含多个电阻器。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述电阻器是位于所述绝缘层上的多晶硅结构。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述多晶硅结构是与所述晶体管的栅极顶部的多晶硅部份一起形成的。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个电阻器耦合到所述晶体管。

17.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述复合层也完全覆盖所述电阻器。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述复合层是由多个基层交错相叠而成。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，每一个所述基层的折射率皆与相邻的其它所述基层的折射率不同。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，越靠近所述衬底的所述基层的折射率越高，越远离所述衬底的所述基层的折射率越高。