[发明专利]防止导电结构腐蚀的方法与系统无效

专利信息
申请号: 00122771.8 申请日: 2000-08-14
公开(公告)号: CN1298770A 公开(公告)日: 2001-06-13
发明(设计)人: 阿瑟·J·斯皮瓦克;戴维·B·道林 申请(专利权)人: 应用半导体公司
主分类号: B05D7/14 分类号: B05D7/14;B05D5/12;C09D5/10;C23F13/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 防止 导电 结构 腐蚀 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于防止与腐蚀环境接触的导电结构被腐蚀的方法,所述方法包括:

(a)用半导体涂层涂敷导电结构并提供连接于被涂敷的导电结构的电子滤波器;

(b)监视由被涂敷的导电结构产生的腐蚀噪声并调整所述电子滤波器的滤波器特性使腐蚀噪声最小化。

2.权利要求1中的方法,其中所述电子滤波器包含电源与电容器。

3.权利要求1中的方法,其中所述监视与调整步骤(b)使用有源滤波器与监视装置连续执行。

4.权利要求1中的方法,其中所述电子滤波器包含多个电容器而所述步骤(b)进一步包含确定多个电容器中的每一个在导电结构上的安排。

5.权利要求1中的方法,其中所述导电结构为金属导电结构。

6.权利要求5中的方法,其中所述金属导电结构包括选自铁类金属和非铁类导电金属中的一种金属。

7.权利要求6中的方法,其中所述金属为钢。

8.权利要求6中的方法,其中所述金属为铝。

9.权利要求1中的方法,其中所述导电结构选自桥梁组件、铁路耦合机械、炼油设备、容器、金属塔吊、以及导电性混凝土结构构成的组。

10.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层包含p型和n型半导体畴。

11.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层包含金属-半导体结。

12.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层包含离子导体-半导体结。

13.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层包含金属-半导体-离子导体结。

14.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层包含半导体-绝缘体-半导体结。

15.权利要求1中的方法,其中所述半导体涂层为金属/金属氧化物/硅酸盐涂层。

16.权利要求15中的方法,其中所述金属/金属氧化物/硅酸盐涂层为锌/氧化锌/硅酸盐涂层。

17.权利要求16中的方法,其中所述锌/氧化锌/硅酸盐涂层包含的锌含量占干涂层重量的80-92%。

18.权利要求17中的方法,其中所述锌/氧化锌/硅酸盐涂层包含的锌含量占干涂层重量的85-89%。

19.权利要求15中的方法,其中所述金属/金属氧化物/硅酸盐涂层包含选自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs之一的金属以及相对应的金属氧化物。

20.权利要求19中的方法,其中所述金属/金属氧化物/硅酸盐涂层包含选自Zn、Ti、Al、Ga、Ce、Mg、Ba和Cs的一种或几种金属的混合物以及由它们获得的一种或几种金属氧化物。

21.权利要求19中的方法,其中所述半导体涂层进一步包括一种或几种掺杂物。

22.一种用于防止导电结构被腐蚀的系统,包括:

(a)半导体涂层;

(b)固定的电子滤波器;

(c)腐蚀噪声监视系统;以及

(d)可调滤波器。

23.权利要求22中的系统,其中所述腐蚀噪声监视系统进一步包括高阻抗参考电极和示波器。

24.权利要求22中的系统,其中所述可调滤波器选自手动可调滤波器与有源滤波器构成的组。

25.权利要求22中的方法,其中所述半导体涂层包含p型和n型半导体畴。

26.权利要求22中的方法,其中所述半导体涂层包含金属-半导体结。

27.权利要求22中的方法,其中所述半导体涂层包含离子导体-半导体结。

28.权利要求22中的方法,其中所述半导体涂层包含金属-半导体-离子导体结。

29.权利要求22中的方法,其中所述半导体涂层包含半导体-绝缘体-半导体结。

30.权利要求22中的系统,其中所述半导体涂层为金属/金属氧化物/硅酸盐涂层。

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