[发明专利]降低电致迁移现象的方法

权利要求书

1.一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移(electromigration)现象的方法，该半导体晶片表面包括一金属层，该方法包括下列步骤：

于该半导体晶片表面以及该金属层表面形成一缓冲层(buffer layer)；

进行一离子注入(ion implantation)制作工艺，将离子注入该金属层上的缓冲层内；以及

进行一热(thermal)制作工艺，将该离子趋入(drive in)于该金属层内的晶界(grain boundary)间，以降低形成的金属导线的电致迁移现象。

2.如权利要求1所述的方法，其中该金属层为一铝金属层(aluminum，Al)。

3.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层为一多硅硅氧层(silicon richoxide，SRO)或一硅氧层。

4.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层的厚度大致上为2000埃。

5.如权利要求3所述的方法，其中该离子注入制作工艺使用的离子包括硼(boron，B)离子。

6.如权利要求4所述的方法，其中该离子注入制作工艺使用的能量大致上为30KeV，使用的浓度大致上为1×101⁴离子/平方厘米(ions/cm²)。

7.一种降低一半导体晶片上的金属导线电致迁移现象的方法，该半导体晶片表面包括一金属层，该方法包括下列步骤：

于该半导体晶片表面以及该金属层表面形成一缓冲层；以及

进行一离子注入制作工艺，将硼(boron，B)离子注入该金属层上的部分缓冲层内；

其中该硼离子于后续制作工艺中会扩散进入该金属层内的晶界间，以降低形成的金属导线的电致迁移现象。

8.如权利要求7所述的方法，其中该金属层为一铝金属层(aluminum，Al)。

9.如权利要求7所述的方法，其中该缓冲层为一多硅硅氧层(SRO)或一硅氧层。

10.如权利要求7所述的方法，其中该缓冲层的厚度大致上为2000埃。

11.如权利要求10所述的方法，其中该离子注入制作工艺使用的能量大致上为30KeV，使用的浓度大致上为1×10¹⁴离子/平方厘米(ions/cm²)。

12.如权利要求7所述的方法，其中该方法于该离子注入制作工艺后另包括一高温沉积制作工艺或一退火(anneal)制作工艺，将该离子趋入于该金属层内的晶界间。