[发明专利]薄型半导体装置及其制备方法

权利要求书

1、一种薄型半导体装置，其特征是包括：

一基板，其具有至少一开孔，并由一基层及数个导电迹线所构成；

一半导体晶片，其具有一作用表面及一相对的非作用表面，该半导体晶片是以其作用表面粘接至该基板的基层上；

数个第一导电元件，用以通经该开孔而电气连接该半导体晶片与基板的导电迹线；

数个第二导电元件，其设置于各导电迹线的终端上，以供该半导体晶片通过其与外界电气连接；

一第一胶体，其形成于该基板的基层上以包覆该半导体晶片；以及

一第二胶体，其形成在该基板的导电迹线上以完全覆盖住该导电迹线、第一导电元件及开口，且该第二胶体与第二导电元件粘结为一体，而使该第二导电元件的底端外露出该第二胶体的底面，并使该第二导电元件的底端与第二胶体的底面位于同一平面。

2、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该第一导电元件为金属导线。

3、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该第二导电元件为焊球。

4、如权利要求3所述的薄型半导体装置，其特征是，该焊球的底端呈平面状，用以与该下胶体的底面共平面。

5、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该第二导电元件为凸块。

6、如权利要求5所述的薄型半导体装置，其特征是，该凸块是以印刷方式接设至该导电迹线的终端上。

7、如权利要求5所述的薄型半导体装置，其特征是，该凸块是以电镀方式接设至该导电迹线的终端上。

8、如权利要求5所述的薄型半导体装置，其特征是，制成该凸块的材料是从铜、铝、铜合金、铝合金及锡/铅合金所组成的组群中选择。

9、如权利要求5所述的薄型半导体装置，其特征是，该凸块的底端呈平面状，用以与该下胶体的底面共平面。

10、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该半导体晶片的非作用表面是外露出该上胶体的顶面。

11、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该半导体晶片的非作用表面被该上胶体所覆盖。

12、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该基板具有两平行对置的开孔。

13、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，该基板具有四道成矩形列置的开孔。

14、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，还包括一与该半导体晶片的非作用表面接设的散热片。

15、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是，还包括一与该基板的基层粘接的散热片，该散热片具有一槽孔，以供该半导体晶片穿经该槽孔而粘接至该基板的基层上。

16、如权利要求1所述的薄型半导体装置，其特征是适用于该基层的材料是从环氧树脂，聚亚酰胺树脂，二顺丁烯二酰胺三嗪树脂，FR4树脂、环氧树脂玻璃、陶瓷材料及抗热性纸材所组成的组群中选择。

17、一种薄型半导体装置的制备方法，其特征是包括下列步骤：

准备好一基板，该基板由一基层及数个导电迹线构成，并开设有至少一开孔；

粘接一半导体晶片至该基板的基层的预设位置上；

以数个第一导电元件穿经该基板的开孔电气连接该半导体晶片与基板的导电迹线；

在该基板的基层上形成一第一胶体以包覆该半导体晶片；

在该基板的导电迹线的终端上设置数个成阵列方式排列的第二导电元件；

在该基板的导电迹线上形成一第二胶体以完全包覆该导电迹线、第一导电元件及开孔，并使该第二导电元件与该第二胶体连结为一体，而让该第二导电元件的底端外露出第二胶体的底面，及使该第二导电元件的底端与该第二胶体的底面位于同一平面。

18、如权利要求17所述的薄型半导体装置的制备方法，其特征是，在形成该第二胶体的步骤后，给予该第二胶体与第二导电元件减低高度的处理，以薄化该制成的半导体装置。

19、如权利要求17所述的薄型半导体装置的制备方法，其特征是，该第二导电元件为焊球。