[发明专利]电光装置和电子装置有效
申请号: | 00124108.7 | 申请日: | 2000-06-03 |
公开(公告)号: | CN1278109A | 公开(公告)日: | 2000-12-27 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L27/15;G09F9/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子 | ||
1、一种具有像素的电光装置,包括:
第一TFT;
第二TFT,包含电连接到第一TFT的栅极;以及
电连接到第二TFT的EL元件,
其中第一TFT包含一动态层,在其上形成有2个或更多的顺序连接的沟道形成区域。
2、一种具有像素的电光装置,包括:
第一TFT;
第二TFT,包含电连接到第一TFT的栅极;以及
电连接到第二TFT的EL元件,
其中第一TFT包含一动态层,在其上形成有2个或更多的顺序连接的沟道形成区域,且
第二TFT的沟道宽度比第一TFT的沟道宽度更宽。
3、一种具有像素的电光装置,包括:
第一TFT;
第二TFT,包含电连接到第一TFT的栅极;以及
电连接到第二TFT的EL元件,
其中第一TFT包含一动态层,在其上形成有2个或更多的顺序连接的沟道形成区域,且
建立有一个W2/L2≥5×W1/L1的等式,其中W2是第二TFT的沟道宽度,L2是第二TFT的沟道长度,W1是第一TFT的沟道宽度,L1是第一TFT的沟道长度。
4、根据权利要求3的电光装置,其特征在于,第二TFT的沟道长度(L2)在0.1到50μm间,第二TFT的沟道宽度(W2)在0.5到30μm间,第一TFT的沟道长度(L1)在0.2到18μm间,第一TFT的沟道宽度(W1)在0.1到5μm间。
5、根据权利要求1的电光装置,其特征在于,第一TFT是开关TFT,而第二TFT是一电流控制TFT。
6、根据权利要求2的电光装置,其特征在于,第一TFT是开关TFT,而第二TFT是一电流控制TFT。
7、根据权利要求3的电光装置,其特征在于,第一TFT是开关TFT,而第二TFT是一电流控制TFT。
8、根据权利要求1的电光装置,其特征在于,第一TFT的LDD区域这样形成,使得通过在两者间插入一栅极绝缘膜不会重叠第一TFT的栅极,并且第二TFT的一部分或全部LDD区域这样形成,使得覆盖第二TFT的栅极。
9、根据权利要求2的电光装置,其特征在于,第一TFT的LDD区域这样形成,便得通过在两者间插入一栅极绝缘膜不会重叠第一TFT的栅极,并且第二TFT的一部分或全部LDD区域这样形成,使得覆盖第二TFT的栅极。
10、根据权利要求3的电光装置,其特征在于,第一TFT的一部分或全部LDD区域这样形成,使得通过在两者间插入一栅极绝缘膜不会重叠第一TFT的栅极,并且第二TFT的LDD区域这样形成,使得覆盖第二TFT的栅极。
11、一种包含有根据权利要求1的电光装置的电子装置。
12、一种包含有根据权利要求2的电光装置的电子装置
13、一种包含有根据权利要求3的电光装置的电子装置
14、一种选自视频相机,数字相机,眼镜型显示器,车载导航系统,个人计算机,移动计算机,手持电话,电子图书,使用记录介质的图像重放装置的电子装置,其包含一种根据权利要求1的电光装置。
15、一种选自视频相机,数字相机,眼镜型显示器,车载导航系统,个人计算机,移动计算机,手持电话,电子图书,使用记录介质的图像重放装置的电子装置,其包含一种根据权利要求2的电光装置。
16、一种选自视频相机,数字相机,眼镜型显示器,车载导航系统,个人计算机,移动计算机,手持电话,电子图书,使用记录介质的图像重放装置的电子装置,其包含一种根据权利要求3的电光装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的