[发明专利]一种喷射沉积高硅铝合金的方法无效
| 申请号： | 00124660.7 | 申请日： | 2000-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1345983A | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张济山;王锋;杨滨;崔华;段先进 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 喷射 沉积 铝合金 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种喷射沉积高硅铝合金的方法，其特征在于：采用喷射沉积技术制备过共晶Al-(16～45％)Si合金时，加入Fe、Mn元素，Mn/Fe的重量百分数为0.5～1，合金组织中形成了颗粒状的金属间化合物Al15(FeMn)3Si2，消除了单纯加Fe时形成的针状的Al-Si-Fe化合物；喷射沉积的工艺参数为：雾化气体：氮气，雾化压力：0.5～0.9Mpa，熔体过热度：150～300℃，沉积距离：350～450mm。
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