[发明专利]微波等离子体处理装置及其处理方法

权利要求书

1．微波等离子体处理装置包括：

用介质构件把其周边与外界空气隔离开的等离子体发生室；

使用设置在所述等离子体发生室周围并设有多个槽的无端环形波导管的微波引入装置；

用于待处理基片的支承构件；

用于所述等离子体发生室的气体引入装置；和

用于所述等离子体发生室的抽真空装置；

其特征在于：所述无端环形波导管的圆周长度Lg，所述无端环形波导管中微波的波长λg，所述介质构件的圆周长度Ls，所述介质构件中传导的表面波的波长λs大体满足关系式：

Ls／λs=(2n+1)Lg／λg

其中n为0或自然数。

2．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于进一步包括磁场发生装置。

3．根据权利要求2的微波处理装置，其特征在于所述磁场装置用于控制槽附近的、磁通量密度大约等于3．57×10^-11(T／Hz)与微波频率的积。

4．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于所述基片支承装置设置在远离所述等离子体发生区域的位置。

5．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于还包括用光能照射待处理基片的装置。

6．根据权利要求5的微波处理装置，其特征在于所述光能包括紫外线光。

7．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于还包括与所述支承构件连接的高频供给装置。

8．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于所述波导管的内部配有介质材料。

9．根据权利要求1的微波处理装置，其特征在于所述波导管的内部配有与上述介质材料不同的介质材料。

10．根据权利要求1的微波等离子体处理装置，其特征在于，所述无端环形波导管的中心半径Rg，所述无端环形波导管中微波的波长λg，介质构件的中心半径Rs和所述介质构件中传导的表面波的波长λs大体满足关系式：

Rs／λs=(2n+1)Rg／λg

其中n为0或自然数。

11．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于进一步包括磁场发生装置。

12．根据权利要求11的微波处理装置，其特征在于所述磁场发生装置适于控制槽附近的、磁通量密度大约等于3．57×10^-11(T／Hz)与微波频率的积。

13．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于所述基片支承装置设置在把待处理基片放在远离所述等离子体发生区域的位置。

14．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于进一步包括用光能照射待处理基片的装置。

15．根据权利要求14的微波处理装置，其特征在于所述光能包括紫外线光。

16．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于进一步包括与所述支承装置连接的高频供给装置。

17．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于所述波导管在内部设置有介质材料。

18．根据权利要求10的微波处理装置，其特征在于所述波导管在内部设置有与上述介质材料不同的介质材料。

19．利用微波等离子体处理装置的微波等离子体处理方法，所述装置包括用介质材料把其周边与外界空气隔离开的等离子体发生室，使用设置在所述等离子体发生室周围并设有多个槽的无端环形波导管的微波引入装置，用于待处理基片的支承装置，用于所述等离子体发生室的气体引入装置和用于所述等离子体发生室的抽真空装置；通过选择所述无端环形波导管的圆周长度Lg、所述无端环形波导管中微波的波长λg、所述介质构件的圆周长度Ls和所述介质构件中传导的表面波的波长λs大体满足下列关系式，以在所述基片上实现等离子体处理：

Ls／λs=(2n+1)Lg／λg

其中n为0或自然数。

20．根据权利要求19的微波处理方法，其特征在于等离子体处理在使用磁场的条件下实现。