[发明专利]高居里温度铋层状(BLSF)压电陶瓷的合成与烧结工艺无效
申请号: | 00127699.9 | 申请日: | 2000-12-05 |
公开(公告)号: | CN1295046A | 公开(公告)日: | 2001-05-16 |
发明(设计)人: | 李承恩;李毅;秦俊侠;李广成;李明祥;倪焕尧 | 申请(专利权)人: | 上海联能科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/64;H01L41/187 |
代理公司: | 上海东亚专利事务所 | 代理人: | 黄桂娟,董梅 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 居里 温度 层状 blsf 压电 陶瓷 合成 烧结 工艺 | ||
本发明涉及压电陶瓷的生产工艺。
铋层状(BLSF)压电陶瓷的化学通式为(Bi2O2)2+(Am+1BmO3m+1)2-,它由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am+1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成,其中A位适合于12配位的1、2、3、4价离子或它们的复合,如:K+、Na+、Ca2+等;B位适合于八面体配位的离子或它们的复合,如:Fe3+、Ce3+、Cr3+、Ti4+、W6+等;m为一整数,对应钙钛矿层((Am+1BmO3m+1)2-内的八面体层数,其值一般为1~5。这类压电陶瓷具有低介电常数、高居里温度(Tc)、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率、大的介电击穿强度、低烧结温度等。基于以上原因,铋层状压电陶瓷特别适用于在高温、高频场合的应用。但由于此类的压电陶瓷材料的化学组成与结构均十分复杂,在制备过程中,往往由于小的外来因素的波动,会导致局部组成的涨落与局部的不均匀,进而使晶相结构不一致,特别是层数m的不一致,并最终使陶瓷元件的性能低下和一致性差。正由于这种原因,虽然在制备技术方面,有人用将原料经球磨机混合、研磨或熔盐法制备定向粉体及用热压、热锻法制备压电陶瓷坯件并进行单片极化等,已取得一定效果(详见表1),可是这些结果均尚停留在100~200克范围的实验室试制阶段,对于实验室制备与批量生产间的差别主要表现在制备量的大小上面,前者100-200克,后者需达3-5公斤,制备量大之后,就很容易产生化学组成的不均匀,相结构的不均匀和显微结构的不均匀上,而这三个不均匀,对铋层状压电陶瓷成品性能的影响甚大,而由于热压成型,是将合成粉料在加热条件下通过模具直接压制而成,一次一片,很难形成大规模生产,热锻亦存在类似问题;用球磨法制粉,因研磨球中微量杂质进入粉体,而影响粉体的成份;而熔盐法制取定向粉体,更由于原料本身溶解度极小,要取得大批量的产物更是费工费时,无法实现批量生产。因而当材料组成、结构、性能以及应用确定之后,寻找大批量生产制备技术就显得十分需要,尤其是陶瓷生产过程的整体配套工艺,而这方面的工作,目前尚未见报导。
本发明的目的在于:为铋层状(BLSF)压电陶瓷批量生产,提供一套合成与烧结工艺,使之在已有工作的基础上,在确保陶瓷材料的最佳性能的同时,实现这类陶瓷的批量生产,为广泛的应用,提供足够数量的、性能优良的、一致性好的高Tc铋层状压电陶瓷元件。
本发明的技术方案包括:采用细颗粒、化学纯试剂为原料,将通式(Bi2O2)2+(Am+1BmO3m+1)2-中的A位离子氧化物或置换A位离子的微量离子氧化物,其中A为适合于12配位的1、2、3、4价离子或它们的复合,如:K+、Na+、Ca2+等;B为适合于八面体配位的离子或它们的复合,如:Fe3+、Ce3+、Cr3+、Ti4+、W6+等;m为一整数,分别与超细高纯的Bi2O3、TiO2、CaCO3,按通式的化学计量混合后在400~1100℃下进行粉料的多循环合成,以及将粉料浇注成型所得的生坯在1150~1200℃的条件下进行多循环烧结,其具体过程为:
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