[发明专利]发光元件用基板与发光元件以及发光元件的制造方法有效
申请号: | 00128311.1 | 申请日: | 2000-11-10 |
公开(公告)号: | CN1296295A | 公开(公告)日: | 2001-05-23 |
发明(设计)人: | 横川弘;筒井哲夫;横山滕;椿健治;河野谦司 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社;筒井哲夫 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L31/12;H01L27/15;H05B33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 用基板 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光元件用基板,其特征在于,
具有与大于1而小于1.30的折射率的低折射率体至少一个表面接触的透明导电性膜。
2.如权利要求1所述的发光元件用基板,其特征在于,
低折射率体为气凝胶。
3.如权利要求1所述的发光元件用基板,其特征在于,
低折射率体为硅土气凝胶。
4.如权利要求1所述的发光元件用基板,其特征在于,
低折射率体具有相对的两个表面,在一个表面上具有透明导电性膜,在另一表面上具有透明体。
5.如权利要求1~4任意一项所述的发光元件用基板,其特征在于,
透明导电性膜是由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、金、银、铜以及铬中至少一种材料形成。
6.如权利要求1~4任意一项所述的发光元件用基板,其特征在于,
透明体是是由玻璃或者透明树脂形成。
7.如权利要求1~4任意一项所述的发光元件用基板,其特征在于,
低折射率体是薄膜形态。
8.如权利要求3或4所述的发光元件用基板,其特征在于,
低折射率体经过疏水处理。
9.一种具有如权利要求1~4所述的发光元件用基板以及发光层的发光元件,其特征在于,
透明导电性膜在与具有低折射率体的表面相对的表面上具有发光层。
10.如权利要求9所述的发光元件,其特征在于,
发光层为有机EL层。
11.如权利要求9所述的发光元件,其特征在于,
发光层为无机EL层。
12.一种发光元件,其特征在于,
具有与折射率大于1而小于1.30的低折射率体至少一个表面接触的发光层。
13.一种发光元件,其特征在于,
在透明体上设有折射率大于1小于1.30的低折射率体的薄膜,在低折射率体的薄膜上设有发光层。
14.如权利要求12所述的发光元件,其特征在于,
低折射率体1是气凝胶,最好是硅土气凝胶。
15.如权利要求13所述的发光元件,其特征在于,
低折射率体是气凝胶,最好是硅土气凝胶。
16.如权利要求12~15任意一项所述的发光元件,其特征在于,
透明体为板,最好是玻璃板。
17.一种发光元件,其特征在于,
在透明体上设有发光层,发光层是分散或者附有发光材料粒子的低折射率体薄膜。
18.如权利要求17所述的发光元件,其特征在于,
低折射率体是气凝胶,最好是硅土气凝胶。
19.如权利要求17所述的发光元件,其特征在于,
透明体为板,最好是玻璃板。
20.如权利要求12~15、17及18任意一项所述的发光元件,其特征在于,
发光层是进行PL发光、或者由照射电子束照射而进行发光的层。
21.一种发光元件的制造方法,其特征在于,
在玻璃板上具有硅土气凝胶薄膜、且在硅土气凝胶薄膜上具有发光层的发光元件的制造方法,前述发光元件的制造方法是将烷氧基硅烷溶液涂层在玻璃板上,在凝胶化之后,通过进行干燥而形成硅土气凝胶薄膜之后,在硅土气凝胶薄膜上形成发光层。
22.一种发光元件的制造方法,其特征在于,
在玻璃板上具有分散或者附有发光材料粒子的低折射率体薄膜的发光层而构成发光元件的制造方法,前述发光元件的制造方法是将分散了发光材料粒子的烷氧基硅烷溶液涂布在玻璃板上且在凝胶化之后,通过进行干燥,形成分散或者附有发光材料粒子的硅土气凝胶薄膜作为发光层。
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