[发明专利]电子束写入方法、电子束刻蚀设备及其所用掩模

权利要求书

1．一种电子束写入方法，包括如下步骤：

a)制备掩模，在其各个区域中形成分割图形，所述分割图形通过根据区域密度划分所刻写的图形获得；

b)电子束通过所述掩模照射到晶片上，以通过所述掩模的各所述区域提供不同的电子束照射量。

2．如权利要求1所述的电子束写入方法，其中通过改变安装有所述掩模的载台移动速率来执行所述步骤(b)。

3．如权利要求1所述的电子束写入方法，其中通过改变安装有所述晶片的载台移动速率来执行所述步骤(b)。

4．如权利要求1、2或3所述的电子束写入方法，其中所述区域在所述掩模中排列成一行，并且，所述晶片往复运动越过所述步骤(b)中的各所述区域。

5．如权利要求4所述的电子束写入方法，其中将在所述区域中的每一个第二区域中的分割图形形成为相对于原始分割图形的反射图像。

6．如权利要求1、2或3所述的电子束写入方法，其中所述掩模在所述步骤(b)中的各所述区域中往复运动。

7．如权利要求4所述的电子束写入方法，其中排列成一行的所述区域其分割图形按相同的方向被扫描。

8．如权利要求1、2或3所述的电子束写入方法，其中形成的所述各区域是边长为Y／2的正方形，Y为双重高斯分布模型方程中的反向散射直径。

9．如权利要求5所述的电子束写入方法，其中所述晶片的移动方向和所述掩模的移动方向相反。

10．如权利要求1、2或3所述的电子束写入方法，其中所述掩模有所述第一至第三区域，在各第一至第三区域中分别形成第一至第三分割图形，所述第一至第三区域按第一至第三的顺序排成一行，所述第二分割图形相对于原始分割图形形成为反射图像，并且所述步骤(b)进一步包括步骤：

(b1)为使电子束曝光所述第三区域，按第一方向移动所述掩模、按第二方向移动所述晶片，所述第一方向和所述第二方向相互反向；

(b2)为使电子束曝光所述第二区域，按所述第一方向移动所述掩模、按所述第一方向移动所述晶片；以及

(b3)为使电子束曝光所述第一区域，按所述第一方向移动所述掩模、按所述第二方向移动所述晶片。

11．如权利要求1、2或3所述的电子束写入方法，其中所述区域在所述掩模中按组重复排列，所述组中的区域具有相同的分割图形组。

12．如权利要求11所述的电子束写入方法，其中各组中所述区域内的每一个第二区域里的分割图形形成为相对于原始分割图形的反射图像。

13．一种电子束刻蚀设备，包括：

a)发射电子束的电子束源；

b)晶片载台，在其上面固定有晶片，并能水平移动；

c)掩模，固定在所述晶片载台上并可水平移动，所述电子束通过所述掩模到达所述晶片，其特征在于：在所述掩模各个区域中形成分割图形，根据区域密度通过划分所要刻写的图形得到所述分割图形；所述电子束刻蚀设备进一步包括

d)控制器，根据所述区域的密度，为各所述区域至少控制一个所述掩模和所述晶片载台的速度。

14．如权利要求13所述的电子束刻蚀设备，其特征在于对于密度较大的区域，所述控制器至少设置一个较慢的所述掩模和所述晶片载台的速度。

15．如权利要求13所述的电子束刻蚀设备，其特征在于所述区域在所述掩模中排列成一行，所述控制器移动所述晶片来回交替越过所述各区域。

16．如权利要求13、14或15所述的电子束刻蚀设备，其特征在于将所述掩模内的所述区域中的每一个第二基里内的分割图形形成为相对于原始分割图形的反射图像。

17．如权利要求13、14或15所述的电子束刻蚀设备，其特征在于控制器使所述掩模在所述区域内来回移动。

18．如权利要求13、14或15所述的电子束刻蚀设备，其特征在于沿相同方向扫描在所述掩模内排列成一行的所述区域所具有的图形。

19．如权利要求13、14或15所述的电子束刻蚀设备，其特征在于将所述掩模内的各所述区域形成边长为Y／2的正方形，Y是双重高斯分布模型方程中的反向散射直径。