[发明专利]光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法

权利要求书

1、一种光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其特征在于包含以下步骤：

1)将承载至少一片以上表面具有聚亚醯胺膜层的处理物的载具移送至浸泡槽中，该浸泡槽内盛装有适量能对聚亚醯胺膜层松脱或剥除或蚀刻反应的化学混合溶剂，以对多片处理物同时进行除膜处理；

2)以反应后的处理物再移送至冲洗槽以清洗液进行清洗，将处理物表面残留溶剂予以清除；

3)再以清洗液进行二次清洗处理，将处理物表面残留物质清除洁净；

4)以清洗完成后处理物进行烘干或吹干处理，将处理物表面上水气予以干燥，以实现处理物表面聚亚醯胺膜层完全剥除。

2、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中处理物可为晶片或光电元件。

3、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中化学混合溶剂包含烷胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、丁酸内酯、环氨、二甲亚砜、N-甲基四氢吡咯酮、四甲基氢氧化铵混合而成。

4、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中浸泡槽内处理程序可进一步搭配超音波震荡、真空洗净、流水式或机械搅动方式以缩短去除时间。

5、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中清洗液包含纯水、去离子水、乙醇、超纯水、过氧化氢、甲醇、异丙醇、丙酮或其他醇、酮混合而成的。

6、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中除膜温度是介于104至212华氏度之间。

7、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中处理物表面上为烘干聚亚醯胺膜层时除膜时间是介于5至90分钟。

8、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中处理物表面上为未烘干聚亚醯胺膜层时除膜时间是介于1至10分钟。

9、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中冲洗处理的温度是介于22至80摄氏度之间。

10、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中冲洗处理的时间是介于10秒至2分钟之间。

11、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中烘干或吹干处理的温度是介于22至120摄氏度之间。

12、如权利要求1所述的光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法，其中烘干或吹干处理的时间是介于10秒至20分钟之间。