[发明专利]多力操纵装置及其应用

权利要求书

1.一种能产生物理场的芯片，芯片包括：

a)一块基底；

b)基底上有至少两种不同类型的内建结构，每种结构都可以和外加信号源连接，产生一种类型的物理场。

2.权利要求1的芯片，由一组在结构上相连的基底组成。

3.权利要求1的芯片，其中的内建结构能产生至少两种不同类型的物理场。

4.权利要求1的芯片，包括两种不同的内建结构能产生两种不同类型物理场。

5.权利要求1的芯片，包括三种不同的内建结构能产生三种不同类型物理场。

6.权利要求1的芯片，包括四种不同的内建结构能产生四种不同类型物理场。

7.权利要求1的芯片，包括超过四种各产生不同类型物理场的不同内建结构。

8.权利要求1的芯片，其中内建结构是单个单元的形式。

9.权利要求8的芯片，其中的单个单元位于芯片的某一部分，或是布满整个芯片。

10.权利要求1的芯片，其中内建结构包括多个微单元。

11.权利要求10的芯片，其中至少一部分微单元可以单个选通。

12.权利要求10的芯片，其中至少一部分微单元是相互连接的。

13.权利要求10的芯片，包括对多个微单元组中的任意一个微单元进行选择性施加信号的方法。

14.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生电场、磁场、声场、光场和速度场中至少两种不同类型的物理场。

15.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生磁场、声场、光场和速度场中至少两种不同类型的物理场。

16.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生电场、声场、光场和速度场中至少两种不同类型的物理场。

17.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生电场、磁场、光场和速度场中至少两种不同类型的物理场。

18.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生电场、磁场、声场和速度场中至少两种不同类型的物理场。

19.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生电场、磁场、声场和光场中至少两种不同类型的物理场。

20.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生不包括光场和非均匀交流电场这种组合的至少两种不同类型的物理场。

21.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生不包括驻波声场和均匀直流电场这种组合的至少两种不同类型的物理场。

22.权利要求1的芯片，其中内建结构可以产生不包括速度场和电场这种组合的至少两种不同类型的物理场。

23.权利要求1的芯片，其中至少一种内建结构可以产生电场。

24.权利要求23的芯片，其中的内建结构可以产生均匀直流电场。

25.权利要求23的芯片，其中的内建结构可以产生场幅值具有非均匀分布的非均匀交流电场。

26.权利要求23的芯片，其中的内建结构可以产生至少一个场分量的相位值具有非均匀分布的非均匀的交流电场。

27.权利要求23的芯片，其中产生电场的内建结构包括至少一个微电极部件。

28.权利要求1的芯片，其中至少一种内建结构可以产生磁场。

29.权利要求28的芯片，其中产生磁场的内建结构包括一种铁磁性物质。

30.权利要求28的芯片，其中产生磁场的内建结构包括一种微电磁单元。

31.权利要求1的芯片，其中至少一种内建结构可以产生声场。

32.权利要求31的芯片，其中产生声场的内建结构包括一种压电物质。

33.权利要求1的芯片，其中至少一种内建结构可以产生光场。

34.权利要求33的芯片，其中产生光场的内建结构包括一个“光钳”。