[发明专利]电子束曝光方法以及所使用的掩膜和电子束曝光系统无效
申请号: | 00132743.7 | 申请日: | 2000-11-16 |
公开(公告)号: | CN1297251A | 公开(公告)日: | 2001-05-30 |
发明(设计)人: | 山下浩;小日向秀夫 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束 曝光 方法 以及 使用 系统 | ||
1.一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,以在每个所述分区形成分段图案,并且依次地对每个所述分区进行曝光,从而完成整个所述指定图案的投影;其中包括如下步骤:
对每个所述分区执行曝光,并且依次地在其上面转印分段图案,以及
用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束依次地对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。
2.根据权利要求1所述的分段掩膜图案转印型电子束曝光方法;其特征在于包括如下步骤:
利用在一个相同基片上具有通过把预定图案分为多个分区所形成的一组分段图案的掩膜,对每个所述分区执行曝光,并且依次地在其上面转印分段图案,以形成在每个所述分区的分段图案,并且具有这些分段图案的一组反转图案;以及
用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束,依次地对所述分段图案的投影区域进行纠正曝光,从而纠正由图案曝光所造成的邻近效应。
3.根据权利要求1所述的分段掩膜图案转印型电子束曝光方法;其特征在于包括如下步骤:
利用具有通过把指定图案分为多个分区所形成的一组分段图案的第一掩膜,对每个所述分区执行曝光,并且依次地在其上面转印分段图案,以在每个所述分区中形成分段图案;以及
利用具有所述分段图案的一组反转图案的第二掩膜,用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束,依次地对所述分段图案的投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。
4.根据权利要求3所述的分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其特征在于透射掩膜被用作为第一掩膜,散射掩膜被用作为第二掩膜。
5.一种用于权利要求2中所述的电子束曝光的方法中的电子束曝光掩膜,其特征在于在一个相同基片上具有一组分段图案,该图案是通过把指定图案分为多个分区而形成的,以在每个所述分区中形成一个分段图案,并且具有一组这些分段图案的反转图案。
6.一种电子束曝光系统,其中具有:
一种结构,通过依次地在每个分区中通过分段图案执行曝光,如权利要求5所述放置的掩膜可以转印所述指定图案,并且可以依次地通过在每个分区中的反转图案执行曝光,而用反转图案的电子束对分段图案的每个投影区域进行曝光;以及
一种结构,其可以在每次该反转图案的电子束用于曝光时,散焦该反转图案的电子束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造