[发明专利]单片陶瓷电子部件及其制造方法

权利要求书

1．一种单片陶瓷电子部件，它包括含多个陶瓷层和多个各自设置在两相邻陶瓷层间的内电极层的陶瓷元件；其特征在于，

各内电极层和陶瓷层间界面的粗糙度等于或小于200nm，所述陶瓷层中气孔发生率按研磨后切割剖面中的面积计算是等于或小于1％。

2．如权利要求1所述的单片陶瓷电子部件，其特征在于，设置在所述内电极层间的各陶瓷层的厚度等于或小于3μm。

3．如权利要求1所述的单片陶瓷电子部件，其特征在于，每个所述内电极层的厚度处于0．2至0．7μm范围中。

4．如权利要求1至3中任一所述的单片陶瓷电子部件，其特征在于，所述内电极层包含贱金属。

5．一种权利要求1至4中任一所述的单片陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，它包括下述步骤：

层叠表面粗糙度均等于或小于100nm且备有电极膏层的多块生陶瓷片从而形成生组合件；

压紧所述生组合件；

烧结所述生组合件以形成陶瓷元件。

6．一种权利要求1至4中任一所述的单片陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，它包括下述步骤：

层叠各备有表面粗糙度等于或小于100nm的电极膏层的多块生陶瓷片以形成生组合件；

压紧所述生组合件；

烧结所述生组合件以形成陶瓷元件。

7．如权利要求5或6所述的单片陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，各陶瓷生片和电极膏层中的至少一个的表面施加压紧平滑处理。

8．如权利要求5至7中任一所述的单片陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，由下式表示的所述面收缩率为25％至35％：

(A₀-A₁)／A₀×100(％)

式中，A₀表示从生组合件纵向所观察的面积，A₁表示烧结后组合件的面积。