[发明专利]铁氧体烧结体

说明书

本发明涉及铁氧体烧结体，特别是涉及一种能够阻断高频段无益辐射噪声的铁氧体烧结体(有时将其称为“用于吸收高频段无益辐射噪声的铁氧体烧结体”)。

近年来，随着信息通信技术的急速发展和各种各样电子零部件的普及，无益的电磁噪声对各种电子设备产生不良的影响，这是存在的问题。

通常，人们利用铁氧体的阻抗特性，将铁氧体作为一种能够阻断目标频率段中存在的无益辐射噪声的EMI(电磁干扰)对策使用。铁氧体的阻抗由综合比导磁率(complex ratio permeability)构成，每一圈的阻抗可由下述公式表示。

Z=μ″Aω+iμ′Aω

(Z：阻抗；μ′：综合比导磁率的实数部分；μ"：综合比导磁率的虚数部分；A：磁性体的形状因子；ω：角频率)

特别是由于基本时钟节拍频率(frequency of a base clock)在55MHz以上，CPU的时钟节拍频率在450MHz以上，因此，在将铁氧体用于EMI对策时，被重视的频率段为50～1000MHz。因此，人们要求所说的铁氧体从50MHz的附近开始就具有高的阻抗。

作为能够阻断如此高频段的无益辐射噪声的现有铁氧体，可以使用NiCuZn铁氧体。

然而，具有上述特性的NiCuZn铁氧体要使用高价的NiO原料，因此不能提供廉价的铁氧体烧结体，这是存在的问题。因此，人们倾向于使用那些价格比NiO原料低廉的Mg(OH)₂、MgO或MgCO₃等来制造MgCuZn铁氧体或MnMgCuZn铁氧体，这些铁氧体可以作为能够阻断在高频段的无益辐射噪声的铁氧体烧结体使用。作为涉及这类铁氧体烧结体的先有技术的例子，可以举出日本第2727403号特许公报和特开平10-324564号公报。

然而，直接按照上述公报中提出的技术方案，其阻断辐射噪声的能力不够强，不能获得足以达到为本发明者们所希望的水平所需的特性。

例如，按照日本第2747403号特许公报和特开平10-324564号公报中公开的技术，以初导磁率作为阻抗控制方法的基准。然而，分别发表在《日本粉末和粉末冶金学会杂志》(Journal of the Japan Society ofPowder and Powder Metallurgy)的42(1995)，第22页和同一杂志的43(1996)第1399页中的两篇论文记载，使用Mn或Cu进行取代而制得的MgCuZn铁氧体或MnMgZn铁氧体会引起一种缓和现象，也就是初导磁率随着高频频率的增加而减少，因此利用初导磁率不一定能够控制高频段的阻抗。

如上所述，铁氧体的阻抗由综合比导磁率构成，并且综合比导磁率由于磁化的旋转(magnetization spin)和畴壁的移动而受到实质性的影响。因此可以认为，为了高效地阻断高频噪性，必须找出与磁化旋转和畴壁移动有关的某些参数并加以控制。

另外，如上所述，铁氧体的阻抗不仅与综合比导磁率有关，而且也与磁性体的形状有关。因此，为了评价那些能够高效地阻断辐射噪声的铁氧体烧结体，最好是测定其中不受形状影响的作为材料常数的综合比导磁率。

根据上述情况，本发明的目的是提供一种选用廉价材料制成的，在频率50MHz以上的阻抗高并且能够高效地阻断辐射噪声的铁氧体烧结体。

为了解决上述课题，本发明提供一种铁氧体烧结体，它是一种由7．5～23．0mol％氧化镁、7．0～20．0mol％氧化铜、19．0～24．2mol％氧化锌、48．5～50．3mol％氧化铁作为实质性主成分而构成的MgCuZn类铁氧体烧结体，其特征在于，上述铁氧体烧结体的平均粒径在1．10～7．30μm的范围内，其粒度分布的标准偏差σ在0．60～10．00的范围内。

作为优选方案，本发明的铁氧体烧结体的特征在于，当频率30MHz和温度25℃时，综合导磁率的实数部分μ′在85以上，综合导磁率的虚数部分μ″在170以下，当频率50MHz和温度25℃时，综合导磁率的实数部分μ′在45以上，综合导磁率的虚数部分μ"在100以上，当频率500MHz和温度25℃时，综合导磁率的实数部分μ′在-1．8以上，综合导磁率的虚数部分μ"在16以上。

作为优选方案，本发明的铁氧体烧结体的特征在于，当频率100MHz和温度25℃时，综合导磁率的实数部分μ′在15以上，综合导磁率的虚数部分μ″在71以上，当频率300MHz和温度25℃时，综合导磁率的实数部分μ＇在-0．3以上，综合导磁率的虚数部分μ″在27以上。