[发明专利]半导体芯片焊料凸点加工方法

权利要求书

1、一种半导体芯片焊料凸点加工方法，其特征在于，

包括如下步骤：

步骤1：球下金属化层；

步骤2：介质膜的淀积与刻蚀；

步骤3：电镀工艺：a、电镀铜微型凸点或称厚铜：采用光亮硫酸盐镀液配方，镀铜厚度5-10μm；b、电镀铅锡合金凸点：采用光亮铅锡合金电镀配方以及材料，二元系铅锡合金一次电镀完成；

步骤4：回流工艺：采用回流峰值温度高于焊料熔点10-50℃，并采用中性助焊剂。

2、根据权利要求1所述的半导体芯片焊料凸点加工方法，其特征在于，其中步骤1的球下金属化层，钛为粘附层，钨为隔离层，金为电镀基础层；钛厚度1000-2000、钛钨总厚度3000～5000、金厚度800-1000，采用溅射工艺。

3、根据权利要求1所述的半导体芯片焊料凸点加工方法，其特征在于，其中步骤1的球下金属化层，采用球下铝焊盘上溅射钛：钨—金形成球下金属化层。

4、根据权利要求1所述的半导体芯片焊料凸点加工方法，其特征在于，其中步骤3中b电镀铅锡合金工艺，措施为：

A互连线设计：在金属化层厚度一定的前提下，加宽互连线宽度，以便降低电阻提高电流密度均匀性；主线为50-60μm，支线为15-30μm；

B挂具的设计：挂具的设计要增加芯片表面电流输入端子；除在芯片四周设置输入端子外，芯片中心点同时设置此端子；从而提高凸点高度的一致性；

C球下金属化层图形化后镀铜：由于芯片尺寸的增加，球下金属化层图形化后，再镀铜3-5μm。