[发明专利]薄膜晶体管平面显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管平面显示器的制作方法，该显示器制作于一基板(substrate)上，该基板包括一第一部分与一第二部分，该第一部分包括有一晶体管(transistor)区，用来形成一晶体管，该第二部分包括有一连接垫(pad)区，用来形成一连接垫，该制作方法包括有下列步骤：

(a)在该基板表面上沉积一第一金属层；

(b)定义该第一金属层的图案，用以于该晶体管区形成一栅极电极，且在该连接垫区形成一垫电极；

(c)在该基板上形成一第一绝缘层，并定义该第一绝缘层的图案，在该连接垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；

(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、一掺杂硅(doped silicon)导电层以及一第二金属层；

(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除该通道内以及该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如此使在该晶体管区内残留的第二金属层形成一源极金属层与一漏极金属层，且该源极金属层与该漏极金属层被该通道区所间隔，并使该半导体层暴露于该晶体管区外；

(f)在该基板上全面沉积一保护层(passivation layer)；以及

(g)定义该保护层的图案，去除该第一部分外的保护层，如此使该半导体层暴露于该第一部分以外的区域，接着，以该保护层为蚀刻遮罩，去除未被该保护层遮蔽的半导体层与该第二绝缘层，如此使该第一绝缘层暴露于该第一部分外的区域，且使该垫电极暴露于该连接垫开口中。

2.如权利要求1所述的方法，其中该基板上还包括一电容区，用于形成一电容，该制作方法还包括以下步骤：

在步骤(b)定义该第一金属层的图案时，在该电容区还形成一电容下电极；

在(g)步骤定义该保护层图案时，在该源极金属层上还定义一源极开口，在该漏极金属层上还定义一漏极开口，去除该源极开口与该漏极开口内的保护层，如此使晶体管区的源极金属层与该漏极金属层暴露出来，且该第一绝缘层也暴露于该电容区中；

(h)在该基板上形成一透明导电层，该透明导电层覆盖该电容区域，且填入该源极开口、该漏极开口与该连接垫开口内；以及

(i)定义该透明导电层的图案，使该透明导电层间隔成彼此电隔绝的一源极区块，一漏极区块与一连接垫区块，其中该源极区块经由该源极开口与该源极金属层电导通，该漏极区块经由该漏极开口与该漏极金属层电导通，该连接垫区块经由该连接垫开口与该垫电极电导通，且该透明导电层在电容区域形成一电容上电极。