[发明专利]其中带有弹出反射镜的集成光电子装置及形成与操作方法

权利要求书

1．一种形成光电子装置的方法，包括步骤：

在其上面有一个第一电绝缘层的衬底上形成一个导电层；

通过形成一个延伸经过导电层并暴露第一电绝缘层的第一表面的槽，由第一导电层形成一个反射镜底层；

去除一部分衬底与相应部分的第一电绝缘层以暴露反射镜底层的前表面；

在反射镜底层的前表面上形成一个光反射镜面；以及

凹陷第一电绝缘层以暴露槽。

2．根据权利要求1的方法，其中在形成一个槽的所述步骤之后是形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤。

3．根据权利要求2的方法，其中所述凹陷步骤包括使用光反射镜面作为蚀刻掩模选择地蚀刻第一电绝缘层与槽内牺牲的绝缘区域。

4．根据权利要求2的方法，其中所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤包括热氧化至少一个被槽暴露的反射镜底层的侧壁。

5．根据权利要求3的方法，其中所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤包括热氧化至少一个被槽暴露的反射镜底层的侧壁。

6．根据权利要求3的方法，其中所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤包括步骤：

热氧化至少一个被槽暴露的反射镜底层20的侧壁；以及然后

在槽内沉积一个硅酸盐玻璃层。

7．根据权利要求2的方法，其中在所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤之后是在反射镜底层上及牺牲的绝缘区域上形成由一种挠性材料构成的铰链的步骤。

8．根据权利要求7的方法，其中所述凹陷步骤包括选择地蚀刻第一电绝缘层与槽内牺牲的绝缘区域，以暴露铰链。

9．根据权利要求8的方法，其中所述选择地蚀刻步骤包括使用光反射镜面作为蚀刻掩模选择地蚀刻第一电绝缘层与牺牲的绝缘区域。

10．根据权利要求2的方法，其中所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤之后是形成一个多晶硅铰链的步骤，此铰链在牺牲的绝缘区域上延伸并附着在反射镜底层的背面上。

11．根据权利要求10的方法，其中槽是一个环形槽，它确定一个多边形的反射镜底层；以及其中所述形成一个多晶硅铰链的步骤包括形成一个附着在导电层延伸至槽边缘外面的一部分上的多晶硅铰链。

12．根据权利要求6的方法，其中所述形成槽内牺牲的绝缘区域的步骤之后是形成一个多晶硅铰链的步骤，此铰链在牺牲的绝缘区域上延伸并附着在反射镜底层的背面上。

13．根据权利要求12的方法，其中槽是一个环形槽；以及其中所述形成一个多晶硅铰链的步骤包括形成一个附着在导电层延伸至槽边缘外面的一部分上的多晶硅铰链。

14．根据权利要求13的方法，其中所述凹陷步骤包括选择地蚀刻第一电绝缘层，热氧化反射镜底层侧壁与硅酸盐玻璃层，以暴露多晶硅铰链。

15．根据权利要求14的方法，其中所述选择地蚀刻的步骤包括使用光反射镜面作为蚀刻掩模选择地蚀刻第一电绝缘层。

16．根据权利要求1的方法，其中导电层包括一个厚度约大于10μm的单晶硅层；以及其中所述形成反射镜底层的步骤包括选择地深度反应离子蚀刻单晶硅层以形成一个反射镜底层的步骤。

17．根据权利要求11的方法，进一步包括形成跨越槽延伸并附着在反射镜底层的背面上的第一静电压紧电极的步骤。

18．根据权利要求17的方法，其中所述由导电层形成一个反射镜底层的步骤之前是在导电层上形成氮化硅层的步骤；其中所述形成一个多晶硅铰链的步骤之前是选择地蚀刻氮化硅层以暴露第一部分导电层并暴露反射镜底层背面的第一和第二部分的步骤。

19．根据权利要求18的方法，其中所述形成一个多晶硅铰链与形成第一静电压紧电极的步骤包括在暴露的第一部分导电层上及在暴露的反射镜底层背面的第一部分上沉积多晶硅层。

20．根据权利要求19的方法，其中所述形成光反射镜面的步骤包括在反射镜底层的前表面上蒸镀或溅射一层金。

21．根据权利要求1的方法，其中所述形成光反射镜面的步骤包括在反射镜底层的前表面上蒸镀或溅射一层金。