[发明专利]具有非矩形基板的半导体光电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光电器件，包括：

一基板，具有一主表面与环绕该主表面的多个侧壁，该主表面是一多边形表面，其所有内角都选自由60度与120度所组成的群族中的一角度，并且该多个侧壁表面中的每一个位于相同的晶面族；以及

一层状半导体结构，形成于该基板的该主表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体光电器件，其中该基板由选自于由蓝宝石与碳化硅所组成的族群中的一材料所形成。

3.根据权利要求2所述的半导体光电器件，其中该主表面位于{0001}晶面，并且该多个侧壁表面中的每一个位于{1010}晶面。

4.如权利要求1所述的半导体光电器件，其中该基板是由氮化镓形成的。

5.根据权利要求4所述的半导体光电器件，其中该主表面位于{111}面，并且该多个侧壁表面中的每一个位于{110}面。

6.根据权利要求1所述的半导体光电器件，其中该主表面的形状是平行四边形或三角形。

7.一种半导体光电器件的制造方法，包括下列步骤：

准备一具有一主表面的晶片；

在该主表面上形成一层状半导体结构；以及

沿着相同的晶面族切割该晶片，成为至少一多边形基板，使得该至少一多边形基板中的每一个的内角都选自由60度与120度所组成的族群中的一角度。

8.根据权利要求7所述的半导体光电器件的制造方法，其中该准备一晶片的步骤是准备一由选自于蓝宝石与碳化硅所组成的族群中的一材料所形成的晶片。

9.根据权利要求8所述的半导体光电器件的制造方法，其中该主表面位于{0001}面，并且该晶面族位于{1010}平面族。

10.根据权利要求7所述的半导体光电器件的制造方法，其中该准备一晶片的步骤是准备一由磷化镓所形成的晶片。

11.根据权利要求7所述的半导体光电器件的制造方法，其中该主表面位于{111}面，并且该晶面族位于{110}晶面族。

12.根据权利要求7所述的半导体光电器件的制造方法，其中该至少一多边形基板中的每一个的形状是平行四边形或三角形。