[发明专利]半导体浇花器无效

专利信息
申请号: 00134699.7 申请日: 2000-12-08
公开(公告)号: CN1357220A 公开(公告)日: 2002-07-10
发明(设计)人: 张征宇;朱旦 申请(专利权)人: 张征宇
主分类号: A01G25/00 分类号: A01G25/00;B01D5/00;C01B5/00;F25J1/00;F28B9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100086 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 浇花
【权利要求书】:

1.一种半导体浇花器,它包括半导体冷凝结水器和除霜电路。其特征在于:它还包括滴灌管(16)。所述滴灌管(16)与所述半导体冷凝结水器的集水槽(11)相通;所述除霜电路的输出采用电流换向电路,所述电流换向电路的输出端接所述半导体冷凝结水器的半导体致冷块(3)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体浇花器,其特征在于:所述电流换向电路可以由两个继电器构成。所述继电器之一的常闭点与所述继电器之二的常开点相连,接直流电源正极;所述继电器之二的常闭点与所述继电器之一的常开点相连,接所述直流电源的负极。所述继电器之一的输出端接所述半导体致冷块的正电极;所述继电器之二的输出端接所述半导体致冷块的负电极。

3.根据权利要求1所述的一种半导体浇花器,其特征在于:所述电流换向电路还可以由一个继电器构成。所述继电器的常闭点接直流电源正极,所述继电器的常开点接所述直流电源负极,所述继电器的输出端接前述半导体致冷块的正电极;所述所述半导体致冷块的负极接所述直流电源零极。

4.根据权利要求1所述的一种半导体浇花器,其特征在于:所述电流换向电路还可以由两个三极管或两个可控硅或两个场效应管构成。以NPN型三极管为例,(使用两个PNP型三极管或两个可控硅或两个场效应管可参照这一方法):所述三极管之一的集电极接直流电源正极,所述三极管之一的发射极接前述半导体致冷块的正电极,所述半导体致冷块的负极接所述直流电源零极。所述三极管之二的发射极接直流电源负极,所述三极管之二的集电极接所述半导体致冷块的正电极。

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