[发明专利]具有改良线性度以及低偏差的跨导放大器无效

专利信息
申请号: 00134856.6 申请日: 2000-12-06
公开(公告)号: CN1357968A 公开(公告)日: 2002-07-10
发明(设计)人: 优格·佛耶尔伯 申请(专利权)人: 晶致半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/00 分类号: H03F1/00;H03F3/45
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 改良 线性 以及 偏差 放大器
【权利要求书】:

1.一集成电路,具有用来将差动输入电压转换成输出电流的差动跨导放大器,该差动输入电压包含第一输入电压,以及第二输入电压,该差动跨导放大器在静态以及一全驱动状态工作时,分别呈现第一以及第二总跨导,该跨导放大器包含:

电流转换因数为A的第一电流反射镜,该第一电流反射镜包括第一参考晶体管,以及第一输出晶体管,该第一参考晶体管具有的第一端点连接到第一电流源、以及第二端点用以接收该第二输入电压,该第一输出晶体管具有的第一端点用以输出第一输出电流、以及第二端点连接到在第一阻抗元件的第一接点,该第一阻抗元件具有的第二接点用以接收该第一输入电压;以及

交叉连接到该第一电流反射镜的第二电流反射镜,该第二电流反射镜具有一电流转换因数B,并且包括第二参考晶体管以及第二输出晶体管,该第二参考晶体管具有的第一端点连接到第二电流源、以及第二端点用以接收该第一输入电压,该第二输出晶体管具有的第一端点用以输出第二输出电流、以及第二端点连接到在第二阻抗元件的第一接点,该第二阻抗元件具有的第二接点用以接收该第二输入电压,该输出电流该第一与该第二输出电流之间的差。

2.如权利要求1所述的集成电路,其中该第一电流反射镜的电流转换因数A相等于该第二电流反射镜的电流转换因数B。

3.如权利要求1所述的集成电路,还包含:

第一阻抗转换器以及第二阻抗转换器,该第一阻抗转换器在第一端点以及第二端点提供高输入阻抗,该第一端点接收该第一输入电压,该第二端点连接到该第一阻抗元件的第二接点以及该第二参考晶体管的第二端点;该第二阻抗转换器在第一端点以及第二端点提供高输入阻抗,该第一端点接收该第二输入电压,该第二端点连接到该第二阻抗元件的第二接点以及该第一参考晶体管的第二端点。

4.如权利要求1所述的集成电路,还包含:

电流转换因数为C的第三电流反射镜,该第三电流反射镜包括第三参考晶体管以及第三输出晶体管,该第三参考晶体管具有的第一端点连接到该第一输出晶体管的第一端点,用以接收该第一输出电流,该第三输出晶体管具有的第一端点,用以输出第三输出电流;以及

电流转换因数为D的第四电流反射镜,该第四电流反射镜包括第四参考晶体管以及第四输出晶体管,该第四参考晶体管具有的第一端点连接到该第二输出晶体管的第一端点,用以接收该第二输出电流,该第四输出晶体管具有的第一端点,用以输出第四输出电流。

5.如权利要求4所述的集成电路,还包含电流转换因数为E的第五电流反射镜,该第五电流反射镜包括第五参考晶体管以及第五输出晶体管,该第五参考晶体管具有的第一端点连接到该第三输出晶体管的第一端点,用以接收第三输出电流,该第五输出晶体管具有的第一端点,用以输出第五输出电流,该第五输出晶体管的第一端点连接到第四输出晶体管的一端点,形成该跨导放大器的一输出端点。

6.如权利要求5所述的集成电路,其中该第一电流反射镜的电流转换因数C与第五电流反射镜的电流转换因数E的乘积,相等于该第四电流反射镜的电流转换因数D。

7.如权利要求1所述的集成电路,该第一电流反射镜的参考晶体管与输出晶体管的各对应特性、该第二电流反射镜的参考晶体管与输出晶体管的各对应特性、该第一电流源与该第二电流源的个别值、以及该第一阻抗元件与该第二阻抗元件的个别值,被选择为使得该第一总跨导相等于该第二总跨导。

8.如权利要求1所述的集成电路,其中该第一与该第二参考晶体管,以及该第一与该第二输出晶体管为N型半导体。

9.如权利要求1所述的集成电路,其中该第一与该第二参考晶体管,以及该第一与该第二输出晶体管为P型半导体。

10.如权利要求3所述的集成电路,其中该第一与该第二阻抗转换器由P型半导体所构成。

11.如权利要求3所述的集成电路,其中该第一与该第二阻抗转换器由N型半导体所构成。

12.如权利要求4所述的集成电路,其中该第三与该第四电流反射镜由P型半导体所构成。

13.如权利要求4所述的集成电路,其中该第三与该第四电流反射镜由N型半导体所构成。

14.如权利要求5所述的集成电路,其中该第五流镜由N型半导体所构成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶致半导体股份有限公司,未经晶致半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00134856.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top